絕緣材料損耗指數(shù)測試儀 數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)，實現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計算的微處理化，tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理，因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性，是人工讀值和人工計算*的。
絕緣材料損耗指數(shù)測試儀 技術(shù)參數(shù)：
平板電容極片：Φ50mm/Φ38mm可選
間距可調(diào)范圍：≥15mm
頻率范圍 ： 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz
頻率指示誤差：3×10-5±1個字
夾具插頭間距：25mm±0.01mm
主電容調(diào)節(jié)范圍：30-500/18-220pF
測微桿分辨率：0.001mm
主調(diào)電容誤差：<1%或1pF
夾具損耗角正切值：≦4×10-4 （1MHz)
Q測試范圍：2～1023
相對電容率 relativep ermittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時，其電容 Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co 之比:
Cx
εr = —— ----------（１）
Co
式 中 :
εr — 相對電容率;
CX — 充有絕緣材料時電容器的電極電容;
Co — 真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率εr等于1.00053。因此，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來代替Co測量相對電容率εr時，也有足夠的精確度。
在 一 個 測量系統(tǒng)中，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率εr與真空電氣常數(shù)εo的乘積.
電橋測量靈敏度
電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準(zhǔn)確度，希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比。
在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中：Ｕ為測量電壓 伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10 安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆（W）
Ｒ４橋臂R4電阻值3183 歐姆（W）
Ｃｘ被測試品電容值 皮法（ｐF）
介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。
損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好。
結(jié)構(gòu)損耗
在高頻電場和低溫下，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大。
試驗表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后。其結(jié)構(gòu)耗就會大大升高。
北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司自2012-06-12創(chuàng)立，規(guī)模逐步發(fā)展壯大，憑著過硬的生產(chǎn)技術(shù)、豐富的管理經(jīng)驗，優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)和良好的企業(yè)信譽(yù)，在試驗機(jī)行業(yè)不斷進(jìn)步。在短時間內(nèi)完成了企業(yè)創(chuàng)建、完善、發(fā)展完善的過程，試驗儀市場廣闊，產(chǎn)品已經(jīng)銷售到全國。
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