反應離子刻蝕機

概述：

   NRE-4000反應離子刻蝕機是一款獨立式PE刻蝕RIE刻蝕一體機，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載。腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷。該系統(tǒng)可以支持到12"的晶圓片。腔體為超凈設計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500V.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

原理：

   NRE-4000是基于PC控制的全自動系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示.系統(tǒng)提供密碼保護的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)。基于全自動的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復性。

主要用途：

介質(zhì)薄膜干法刻蝕，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等

產(chǎn)品特點：

鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

不銹鋼立柜

支持各向同性刻蝕和各向異性刻蝕兩種模式

能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

典型的硅刻蝕速率，400 ?/min

高達12"的陽極氧化鋁RF樣品臺

水冷及加熱的RF樣品臺

大的自偏壓

淋浴頭氣流分布

極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達到10-6Torr級別

渦輪分子泵

NRE-3000支持4個MFC，NRE-4000支持8個MFC

無繞曲氣體管路

自動下游壓力控制

雙刻蝕能力：RIE以及PE刻蝕(可選)

終點監(jiān)測

氣動升降頂蓋

手動或自動上下載片

預真空鎖

基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護

*的安全聯(lián)鎖

可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺，用于深硅刻蝕

技術(shù)指標:

氣體種類：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等

基片尺寸：支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片

射頻電源  ：  

ICP電源：13.56MHz，1400W; 偏壓電源：13.56MHz，800W

工藝溫度：10℃到80℃可控      

傳送模式：自動Loadlock傳送系統(tǒng)

其他產(chǎn)品：

NRE-4000：基于PC計算機全自動控制的獨立式系統(tǒng)，占地面積26“D x 44"W

NRE-3500：基于PC計算機全自動控制的緊湊型獨立式系統(tǒng)，占地面積26“D x 26"W

NRE-3000：基于PC計算機全自動控制的臺式系統(tǒng)，占地面積26“D x 26"W

NRP-4000：RIE/PECVD雙系統(tǒng)

NDR-4000：深RIE刻蝕(深硅刻蝕)系統(tǒng)