反滲透加電子級拋光混床超純水制取設(shè)備 15-18兆歐

一、反滲透電子級拋光混床概述拋光核級樹脂。當(dāng)產(chǎn)水電阻率小于12 MΩ/cm時更換樹脂。二級拋光混床主要區(qū)別在于拋光樹脂采用的是半導(dǎo)體電子級拋光樹脂。

三、反滲透加電子級拋光混床超純水制取設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)： 

1、設(shè)計壓力：0.6Mpa 
2、運行流速：一級拋光混床30m/h～36 m/h
3、產(chǎn)水水質(zhì)：一級是電阻率≥17兆歐（電導(dǎo)率≤0.058us/cm）, 一級是電阻率≥18兆歐（電導(dǎo)率≤0.0556us/cm）

四、反滲透加電子級拋光混床超純水制取設(shè)備工藝流程如下：

原水箱→原水泵→加藥絮凝裝置（及殺菌劑）→多介質(zhì)過濾器→加藥還原劑裝置→活性碳過濾器→全自動軟水器→阻垢加藥裝置→板式換熱器→保安過濾器→ 一級高壓泵→一級反滲透系統(tǒng)→中間水箱→二級高壓泵→二級反滲透系統(tǒng)→純水箱→純水泵→TOC分解器→脫氣膜→精密過濾器→EDI裝置→純水箱→純水泵→ 拋光混床→膜過濾器→用水點

相關(guān)搜索：混床樹脂填裝及再生方法     實驗室用純水水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)      EDI電阻率下降的原因