采用RO純水設(shè)備和拋光混床共同來(lái)制備純水的聯(lián)合體設(shè)備,一般安裝在RO純水設(shè)備系統(tǒng)末端和EDI高純水設(shè)備末端,來(lái)提高出水水質(zhì)的純度。
二、拋光混床純水設(shè)備出水水質(zhì)
拋光混床純水設(shè)備一般出水水質(zhì)都能達(dá)到5-18兆歐,以及對(duì)TOC、SIO2都有一定的控制能力。拋光樹(shù)脂出廠的離子型態(tài)都是H、OH型,裝填后及可使用無(wú)需再生。
三、拋光混床純水設(shè)備常用工藝
1、制備18兆歐超純水
原水箱→原水泵→加藥裝置→多介質(zhì)過(guò)濾器→加藥裝置→活性碳過(guò)濾器→全自動(dòng)軟化器→保安過(guò)濾器→一級(jí)高壓泵→一級(jí)反滲透系統(tǒng)→中間水箱→二級(jí)高壓泵→二級(jí)反滲透系統(tǒng)→純水箱→純水泵→TOC分解器→脫氣膜→精密過(guò)濾器→EDI裝置→純水箱→純水泵→拋光混床→膜過(guò)濾器→生產(chǎn)線用水點(diǎn)。
2、制備5-10兆歐超純水
原水箱→原水泵→加藥裝置→多介質(zhì)過(guò)濾器→加藥裝置→活性碳過(guò)濾器→全自動(dòng)軟化器→保安過(guò)濾器→一級(jí)高壓泵→一級(jí)反滲透系統(tǒng)→→二級(jí)高壓泵→二級(jí)反滲透系統(tǒng)→純水箱→純水泵→拋光混床→膜過(guò)濾器→生產(chǎn)線用水點(diǎn)。
四、拋光混床純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
1、制備高純水時(shí),選用于制備18兆歐以上的超純水,用于EDI純水設(shè)備后面,。
2、制備純水時(shí),可以選用拋光混床,節(jié)省EDI費(fèi)用
3、節(jié)省前期設(shè)備費(fèi)
五、拋光混床純水設(shè)備缺點(diǎn)
為獲得電子、醫(yī)藥或其他行業(yè)用電導(dǎo)率0.055μS/cm(電阻率18.2 MΩ•cm)的理論純水,在普通混床或EDI凈水設(shè)備后,通常還裝設(shè)拋光混床進(jìn)行最終的精處理。這種拋光混床用樹(shù)脂是相對(duì)密度很接近的陰樹(shù)脂和陽(yáng)樹(shù)脂的混合物,由于無(wú)法將這種樹(shù)脂的陰、陽(yáng)樹(shù)脂分離,不能用酸堿將它們分別再生,所以這種拋光樹(shù)脂失效后,棄之不用。