半導體泵浦固體激光綜合實驗

 RLE-CA01 半導體泵浦固體激光綜合實驗

實驗簡介

  半導體泵浦固體激光器具有結構緊湊、轉換效率高等特點，已經成為現(xiàn)代工業(yè)應用的主流激光器。 RealLight®應用全工業(yè)器件和科研級晶體設計的半導體泵浦固體激光器綜合實驗具有系統(tǒng)開放、調整簡單、知識全面、可定量測量參數(shù)等特點。本實驗適合用于光電相關專業(yè)《激光原理》相關課程的本科實驗教學或高職院校的實訓教學。
 

實驗內容

1、半導體泵浦固體激光器結構及原理實驗；
2、半導體泵浦固體激光器搭建與調整實驗；
3、半導體泵浦固體激光器倍頻實驗；
4、半導體激光器泵浦源閾值及P-I特性測量實驗；
5、半導體泵浦固體激光器的功—功轉換效率測量實驗；
6、腔長選取實驗；
7、輸出透過率選取實驗；
8、激光倍頻匹配角選擇實驗；
9、可飽和吸收晶體被動調Q實驗；
10、調Q脈沖寬度和重復頻率測量實驗。

知識點

半導體激光器閾值特性、泵浦源效率與輸出功率、激光工作物質、光學諧振腔與穩(wěn)定性條件、光學諧振腔損耗、被動調Q技術、倍頻技術。
 

選配設備參數(shù)

數(shù)字示波器：帶寬100MHz，采樣頻率1GHz。

主要設備參數(shù)

1.泵浦源組件：
IEC 60825-1， Class3B級光纖耦合半導體激光器： 808±3nm，，閾值電流<150mA，集成RT，氮氣密封， 105ｕｍ芯徑， 0.22NA，光纖接頭SMA，金屬鎧甲保護套，光纖長度70cm，配套一體式電源。
2.光纖準直聚焦鏡頭：
校準波長： 808nm，鍍膜范圍： 780-1080nm，光纖接口： SMA905，適配光纖： 105μm芯徑，NA.0.22，物像比1： 2，工作距離： 15mm，外形尺寸D25x43mm。
3.諧振腔調整用指示激光器：
650nm， P>1mW，光斑輸出 1mm。
4. 激光晶體組件：
4-1 激光晶體： 5mm 長 Nd:YVO4 晶體； 1064nm 偏振度優(yōu)于 100:1，光光轉換效率優(yōu)于40%； 532nm 倍頻轉化效率優(yōu)于 10%?？梢詫崿F(xiàn) 532nm 定量測量，激光器偏振態(tài)可測量；
4-2 被動調 Q 晶體： Cr4+:YAG 晶體， T0=90%，調 Q 脈寬：＜ 60ns；
4-3 倍頻晶體： KTP 晶體， 3×3×5mm， AR@1064nm。
5.激光輸出鏡:
Ф20mm ； T=3%@1064nm、 8%@1064nm二種各一片。
6.可編程功率計：
顯示屏顯示內容為測量波長、自動/手動量程模式、當前功率測量檔位；支持六擋量程；測量波長范圍380nm-1100nm，功率量程500mW；提供實時功率顯示，長期功率檢測，并
顯示測量時長、測量時間內的功率變化曲線，提供值、最小值顯示，可導出excel數(shù)據(jù)；USB2.0操作通訊接口。
7.高速脈沖探測器：
響應波長400nm～1100nm， 5ns響應速度，直流耦合。
8.紅外顯示卡一張：
紅外磷材料、 30×50mm、觀察波長范圍800～1400nm、并且具有高亮度，高對比度及邊緣明銳度強的特點，脈沖損壞閾值： 0.50J/cm2，連續(xù)損壞閾值： 1.0kW/cm2。
9.激光防護鏡組件：
防護波段： 1064nm&532nm。進口吸波納米材料與PC合成，光密度值較高，衰減率較高，吸收式防護，保護各種波段的激光和強光，光學安全性能*GJB1762-93標準。
10.機械組件：
四維晶體調節(jié)架，中心高50mm，通光孔徑Ф25.4mm，穩(wěn)定性<2′；
二維腔鏡調整架，中心高50mm，通光孔徑Ф20mm，穩(wěn)定性<2′；
五維晶體調節(jié)架，中心高50mm，通光孔徑Ф25.4mm，穩(wěn)定性<2′；
精密光學導軌： 90mm寬，配套滑塊。
11.專用實驗機箱，外部烤漆處理，內部黑色無光漆面處理。
12.實驗手冊及保修卡。