動(dòng)態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀

動(dòng)態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀

梓夢(mèng)科技動(dòng)態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

當(dāng)激光照射到分散于液體介質(zhì)中的微小顆粒時(shí)，由于顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)引起散射光的頻率偏移，導(dǎo)致散射光信號(hào)隨時(shí)間發(fā)生動(dòng)態(tài)變化，該變化的大小與顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)速度有關(guān)，而顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)速度又取決于顆粒粒徑的大小，顆粒大布朗運(yùn)動(dòng)速度低，反之顆粒小布朗運(yùn)動(dòng)速度高，因此動(dòng)態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀技術(shù)是分析樣品顆粒的散射光強(qiáng)隨時(shí)間的漲落規(guī)律，使用光子探測(cè)器在固定的角度采集散射光，通過(guò)相關(guān)器進(jìn)行自相關(guān)運(yùn)算得到相關(guān)函數(shù)，再經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)反演獲得顆粒粒徑信息。

動(dòng)態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀性能特點(diǎn)

1、高效的光路系統(tǒng)：采用固體激光器和一體化光纖技術(shù)集成的光路，充分滿足空間相干性的要求，極大地提高了散射光信號(hào)的信噪比。

2、高靈敏度光子探測(cè)器：采用計(jì)數(shù)型光電倍增管或雪崩光電二極管，對(duì)光子信號(hào)具有*的靈敏度和信噪比； 采用邊沿觸發(fā)模式對(duì)光子進(jìn)行計(jì)數(shù)，瞬間捕捉光子脈沖的變化。

3、大動(dòng)態(tài)范圍高速光子相關(guān)器：采用高、低速通道搭配的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)光子相關(guān)器，有效解決了硬件資源與通道數(shù)量之間的矛盾，實(shí)現(xiàn)了大的動(dòng)態(tài)范圍，并保證了相關(guān)函數(shù)基線的穩(wěn)定性。

4、高精度溫控系統(tǒng)：基于半導(dǎo)體制冷技術(shù)，采用自適應(yīng)PID控制算法，使樣品池溫度控制精度達(dá)±0.1℃。

5、數(shù)據(jù)篩選功能：引入分位數(shù)檢測(cè)異常值的方法，鑒別受灰塵干擾的散射光數(shù)據(jù)，并剔除異常值，提高粒度測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。

6、優(yōu)化的反演算法：采用優(yōu)擬合累積反演算法計(jì)算平均粒徑及多分散系數(shù)，基于非負(fù)約束正則化算法反演顆粒粒度分布，測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度和重復(fù)性都優(yōu)于1%。

納米粒度及zeta電位分析儀測(cè)量

納米粒度及zeta電位分析儀是表征分散體系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)zeta電位愈高，顆粒間的相互排斥力越大，膠體體系愈穩(wěn)定， 因此通過(guò)電泳光散射法測(cè)量zeta電位可以預(yù)測(cè)膠體的穩(wěn)定性。

動(dòng)態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀原理

帶電顆粒在電場(chǎng)力作用下向電極反方向做電泳運(yùn)動(dòng)，單位電場(chǎng)強(qiáng)度下的電泳速度定義為電泳遷移率。顆粒在電泳遷移時(shí)，會(huì)帶著緊密吸附層和部分?jǐn)U散層一起移動(dòng)，與液體之間形成滑動(dòng)面，滑動(dòng)面與液體內(nèi)部的電位差即為zeta電位。Zeta電位與電泳遷移率的關(guān)系遵循 Henry方程，通過(guò)測(cè)量顆粒在電場(chǎng)中的電泳遷移率就能得出顆粒的zeta電位。

納米粒度及zeta電位分析儀性能特點(diǎn)

1.利用光纖技術(shù)集成發(fā)射光路和接收光路，替代傳統(tǒng)電泳光散射的分立光路，使參考光和散射光信號(hào)的傳輸不受灰塵和外界雜散光的干擾，有效地提高了信噪比和抗干擾能力。

2.先對(duì)散射光信號(hào)進(jìn)行頻譜預(yù)分析，獲取需要細(xì)化分析的頻譜范圍，然后在窄帶范圍內(nèi)進(jìn)行高分辨率的頻譜細(xì)化分析，從而獲得準(zhǔn)確的散射光頻移。

3.基于雙電層理論模型，求解顆粒的雙電層厚度，獲得準(zhǔn)確的顆粒半徑與雙電層厚度的比值，再利用小二乘擬合算法獲得精確的Henry函數(shù)表達(dá)式，進(jìn)而有效提高了納米粒度及zeta電位分析儀的計(jì)算精度。

Henry函數(shù)的取值：

當(dāng)雙電層厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于顆粒的半徑，即ka>>1，Henry函數(shù)近似為1.5。雙電層厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于顆粒半徑時(shí)，即ka<<1，Henry函數(shù)近似為1.0。使用小二乘曲線擬合算法對(duì)Wiersema計(jì)算的精確Henry函數(shù)值進(jìn)行擬合， 得到優(yōu)化Henry函數(shù)表達(dá)式.

強(qiáng)大易用的控制軟件

ZS-920系列納米粒度及zeta電位分析儀的控制軟件具有納米顆粒粒度和zeta電位測(cè)量功能，一鍵式測(cè)量，自動(dòng)調(diào)整散射光強(qiáng)， 無(wú)需用戶干涉，自動(dòng)優(yōu)化光子相關(guān)器參數(shù)，以適應(yīng)不同樣品，讓測(cè)量變得如此輕松。控制軟件更具有標(biāo)準(zhǔn)化操作(SOP)功能，讓不同實(shí)驗(yàn)室、不同實(shí)驗(yàn)員間的測(cè)量按照同一標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，測(cè)量結(jié)果更具有可比性。測(cè)量完成自動(dòng)生成報(bào)表，以可視化的方式展示測(cè)量結(jié)果，讓測(cè)量結(jié)果一目了然。

動(dòng)態(tài)光散射納米粒度及zeta電位分析儀的技術(shù)指標(biāo)

動(dòng)態(tài)光散射納米粒度和zeta電位儀