四探針電阻率測(cè)試儀

四探針電阻率測(cè)試儀

標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級(jí)

分辨率：  最小1μΩ

測(cè)量條件和步驟整個(gè)測(cè)試過程應(yīng)在無光照，無離頻和無振動(dòng)下進(jìn)行。

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針法

電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。

誤差：±0.2%讀數(shù)±2字

于10*0.電子測(cè)量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，最小刻度為0.1 ℃。

電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

測(cè)量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?

GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要

電阻：1×10-5～2×105Ω

試劑優(yōu)級(jí)純，純水，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN·cm。 

標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測(cè)試精度。 

四探針電阻率測(cè)試儀

電流換向開關(guān)范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。

雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。

電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。

在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗(yàn)方法。

主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針法

電源：220±10% 50HZ/60HZ 

光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，

測(cè)量誤差±5%

恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.

使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

電阻測(cè)量范圍：

樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，

顯示方式：液晶顯示

本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇，滿足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶需求

甲醇，99.5%。 干燥氮?dú)狻y(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法

用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.

測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。

化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測(cè)試條件可直接測(cè)試，否則，按下列步驟清洗試樣后測(cè)試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?/span>

電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、

250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。

GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針法