無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導(dǎo)體控溫解決方案
主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體專(zhuān)?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)和半導(dǎo)體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備,
?泛應(yīng)?于半導(dǎo)體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。
半導(dǎo)體行業(yè)主營(yíng)控溫產(chǎn)品:
半導(dǎo)體專(zhuān)溫控設(shè)備
射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體專(zhuān)用溫控設(shè)備chiller
Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)
Chiller直冷型
循環(huán)風(fēng)控溫裝置
半導(dǎo)體?低溫測(cè)試設(shè)備
電?設(shè)備?溫低溫恒溫測(cè)試?yán)錈嵩?/span>
射流式高低溫沖擊測(cè)試機(jī)
快速溫變控溫卡盤(pán)
數(shù)據(jù)中心液冷解決方案
型號(hào) | FLT-002 | FLT-003 | FLT-004 | FLT-006 | FLT-008 | FLT-010 | FLT-015 |
FLT-002W | FLT-003W | FLT-004W | FLT-006W | FLT-008W | FLT-010W | FLT-015W | |
溫度范圍 | 5℃~40℃ | ||||||
控溫精度 | ±0.1℃ | ||||||
流量控制 | 10~25L/min 5bar max | 15~45L/min 6bar max | 25~75L/min 6bar max | ||||
制冷量at10℃ | 6kw | 8kw | 10kw | 15 kw | 20kw | 25kw | 40kw |
內(nèi)循環(huán)液容積 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L | 12L | 20L |
膨脹罐容積 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L | 25L | 35L |
制冷劑 | R410A | ||||||
載冷劑 | 硅油、氟化液、乙二醇水溶液、DI等 (DI溫度需要控制10℃以上) | ||||||
進(jìn)出接口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 |
冷卻水口 | ZG1/2 | ZG1/2 | ZG3/4 | ZG1 | ZG1 | ZG1 | ZG1 1/8 |
冷卻水流量at20℃ | 1.5m3/h | 2m3/h | 2.5m3/h | 4m3/h | 4.5m3/h | 5.6m3/h | 9m3/h |
電源380V | 3.5kW | 4kW | 5.5kW | 7kW | 9.5kW | 12kW | 16kW |
溫度擴(kuò)展 | 通過(guò)增加電加熱器,擴(kuò)展-25℃~80℃ |
元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)
元器件循環(huán)制冷機(jī) 半導(dǎo)體制作過(guò)程水冷機(jī)
集成電路晶圓制造Chiller在半導(dǎo)體制造工藝中作為一種制冷加熱動(dòng)態(tài)控溫設(shè)備,可以用在不同的工藝中,以下是在半導(dǎo)體制造工藝中的應(yīng)用:
1、氧化工藝:在氧化工藝中,需要將硅片放入氧化爐中,并在高溫下進(jìn)行氧化反應(yīng)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制氧化爐的溫度和氣氛,以確保氧化反應(yīng)的穩(wěn)定性和均勻性。
2、退火工藝:在退火工藝中,需要將硅片加熱到一定溫度,并保持一段時(shí)間,以消除晶格中的應(yīng)力并改善材料的性能。集成電路晶圓制造Chiller可以控制退火爐的溫度和時(shí)間,以確保退火過(guò)程的穩(wěn)定性和可靠性。
3、刻蝕工藝:在刻蝕工藝中,需要將硅片暴露在化學(xué)試劑中,以去除不需要的材料。集成電路晶圓制造Chiller可以控制化學(xué)試劑的溫度和流量,以確??涛g過(guò)程的穩(wěn)定性和精度。
4、薄膜沉積工藝:在薄膜沉積工藝中,需要將材料沉積在硅片上,以形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制沉積設(shè)備的溫度和氣氛,以確保薄膜沉積的穩(wěn)定性和質(zhì)量。
5、離子注入工藝:在離子注入工藝中,需要將離子注入到硅片中,以改變材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)。集成電路晶圓制造Chiller可以控制離子注入設(shè)備的溫度和電流,以確保離子注入的穩(wěn)定性和精度。