什么是PECVD系統(tǒng)?
PECVD系統(tǒng)由管式爐,石英真空管、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成。 PECVD 系統(tǒng)主要應用于金屬薄膜,陶瓷薄膜等,復合薄膜,石墨烯等生長。 洛陽西格馬可生產1200度實驗用小型PECVD、1200度實驗用雙溫區(qū)管式爐小型PECVD、低真空CVD系統(tǒng)、等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)。
PECVD系統(tǒng)與CVD有什么區(qū)別?
氣相沉積法化學氣相沉積(CVD)是半導體工業(yè)中應用*為廣泛的用來沉積多種材 料的技術, 包括大范 圍的絕緣材料,大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。
CVD 技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括低壓 CVD(LPCVD),常壓 CVD(APCVD),亞常壓 CVD(SACVD),超高真空 CVD(UHCVD),等離子體增強 CVD(PECVD),高密度等離子體 CVD(HDPCVD) 以及快熱 CVD(RTCVD)。
PECVD:是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
PVD和熱錨點CVD相比,PECVD可以在相對較低的溫度(小于350℃)下沉積出高均勻性薄膜。此外,對于SiO2, SiNx, a-Si, SiON 和 DLC等材料的沉積,等離子沉積技術提供了優(yōu)秀的薄膜性能控制(折射率、硬度等)。
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)用途
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發(fā)生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)系統(tǒng)配置;
1、1200度開啟式滑動單溫區(qū)真空管式爐
2、等離子射頻電源
3、多路質量流量控制系統(tǒng)
4、真空系統(tǒng)(單獨購買)
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)特性:
可實現(xiàn)手動滑動或自動滑動、氣路數(shù)量2-5可選擇;溫度范圍寬;濺射區(qū)域長;整管可調;精致小巧,性價比高,可實現(xiàn)快速升降溫,是實驗室生長薄膜石墨烯,陶瓷薄膜,金屬薄膜,復合薄膜等的不錯的選擇,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
1200度實驗用小型PECVD系統(tǒng)主要參數(shù):
系統(tǒng)名稱 | SGM 集成型PECVD系統(tǒng) | SGM 1200℃小型PECVD系統(tǒng) |
系統(tǒng)型號 | SGM PECVD-12IH-500A | SGM PECVD-12IH-4Z/G |
控制方式 | 液晶屏微PLC控制系統(tǒng) | 手動 |
額定溫度 | 1200℃(可選1300℃、1400℃、1700℃等) | |
加熱區(qū)長度 | 200mm(可按需定制) | |
恒溫區(qū)長度 | 100mm(可按需定制 | |
溫區(qū) | 單溫區(qū)(可生產雙溫區(qū)、三溫區(qū)) | |
爐管材質 | 石英管 | |
石英管管徑 | Φ60mm | Φ50mm |
額定功率 | 1.2Kw | 2Kw |
額定電壓 | 220V | |
滑動方式及距離 | 自動滑動;200mm | 手動滑動;200mm |
溫度控制 | 30段程序控溫 | 50段程序控溫 |
控制精度 | ±1℃ | |
爐管工作溫度 | <1200℃ | |
氣路法蘭 | 采用多環(huán)密封技術卡箍快速連接 | |
排風冷卻裝置 | 的空氣隔熱技術,結合熱感應技術,當爐體表面溫升到50℃時, 排溫風扇將自動啟動,使爐體表面快速降溫。 | |
氣體控制方式 | 質量流量計(按鍵式) | |
氣路數(shù)量 | 2路(2-4路) | 4路(可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量) |
流量范圍 | 0-500sccm(標準毫升/分,可選配)氮氣標定 | |
精度 | ±1%F.S | |
響應時間 | 1sec | |
工作溫度 | 20-120℃ | |
工作壓力 | 進氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力) | |
進氣方式 | 采用防倒流設計 | |
規(guī)格 | 中真空(集成型請單獨購買) | |
系統(tǒng)真空范圍 | 10Pa-100Pa | |
真空泵 | 雙級機械泵理論極限真空度3x10-1Pa,抽氣速率4L/S(選配:其他抽速真空泵),出氣口配有油污過濾器,額定電壓220V,功率0.55Kw | |
信號頻率 | 13.56MHz±0.005% | |
功率輸出范圍 | 0W-500W | 0W-100W |
反射功率 | 350W | 30W |
射頻輸出接口 | 50Ω,N-type,temale | |
功率穩(wěn)定度 | ±0.1% | |
諧波分量 | ≤-50dbc | |
供電電壓 | 單相交流(187V-253V)頻率50/60HZ | |
整機功率 | ≥70% | |
屏幕顯示 | 正方向功率,匹配器電容位置,偏置電壓值 | |
爐體外形尺寸 | 290×360×350mm | 290×350×490mm |
系統(tǒng)外形尺寸 | 420×1440×1100mm | 530×2310×750mm |
系統(tǒng)總重量 | 大約276Kg |