官方微信|手機(jī)版|本站服務(wù)|買家中心|行業(yè)動態(tài)|幫助

產(chǎn)品|公司|采購|招標(biāo)

功率半導(dǎo)體測試設(shè)備

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號HUSTEC-1600A-MT
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
  • 更新時間2024/5/21 17:14:01
  • 訪問次數(shù)113
在線詢價 收藏產(chǎn)品 查看電話 同類產(chǎn)品

聯(lián)系我們時請說明是 制藥網(wǎng) 上看到的信息,謝謝!

  深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設(shè)備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵,電驅(qū)動,新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,家電等領(lǐng)域;華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué),復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備國產(chǎn)化。
igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀,10us浪涌電流測試儀,分立器件測試儀,柵極電阻/電容測試儀
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
設(shè)備尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm 質(zhì)量 30kg
海拔高度 海拔不超過 1000m 儲存環(huán)境 -20℃~50℃
工作環(huán)境 15℃~40℃ 相對濕度 20%RH ~ 85%RH
大氣壓力 86Kpa~ 106Kpa 防護(hù) 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求 AC220V,±10% 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
華科智源功率半導(dǎo)體測試設(shè)備,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態(tài)參數(shù),并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
功率半導(dǎo)體測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

功率半導(dǎo)體測試設(shè)備
功率半導(dǎo)體測試設(shè)備

一:功率半導(dǎo)體測試設(shè)備主要特點(diǎn)

     華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試;


測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


二:應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測


三、特征:

A:測量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比;


序號

測試項(xiàng)目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/p>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/p>

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

3

>200A時,1A

>200A時,±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

6

>200A時,1A

>200A時,±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV






































同類產(chǎn)品推薦
在找 功率半導(dǎo)體測試設(shè)備 產(chǎn)品的人還在看

提示

×

*您想獲取產(chǎn)品的資料:

以上可多選,勾選其他,可自行輸入要求

個人信息: