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反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

參考價 458555
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司
  • 品       牌冠亞制冷
  • 型       號SUNDI-625W
  • 所  在  地無錫市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2024/6/20 14:16:06
  • 訪問次數(shù)236
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無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的GAO端裝備制造企業(yè),專業(yè)生產(chǎn)研發(fā)制冷加熱控溫系統(tǒng)、超低溫冷凍機、半導體控溫Chiller、新能源用控溫控流量系統(tǒng)等專用設備,廣泛應用于醫(yī)藥化工、半導體、新能源、儲能、數(shù)據(jù)中心、太陽能光伏等領(lǐng)域。


無錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司擁有數(shù)位在超低溫、高低溫開發(fā)方面具有豐富經(jīng)驗的高素質(zhì)專業(yè)設計人員的研發(fā)隊伍。特別是反應釜高精度控溫為單一介質(zhì)控制-90度~+250度連續(xù)控溫,并且高精度線性控制反應釜物料溫度。產(chǎn)品溫度范圍涉及-152度到350度。


門頭.jpg


我們的成功源自于不懈地幫助客戶提高生產(chǎn)力。



制冷加熱循環(huán)器、加熱制冷控溫系統(tǒng)、反應釜溫控系統(tǒng)、加熱循環(huán)器、低溫冷凍機、低溫制冷循環(huán)器、冷卻水循環(huán)器、工業(yè)冷處理低溫箱、超低溫保存箱、藥品穩(wěn)定性測試箱、試驗箱、培養(yǎng)箱、加熱制冷恒溫槽等設備。
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品大小 小型
產(chǎn)品新舊 全新 控溫方式 水冷式
自動化程度 其他
【無錫冠亞】反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置,應用于對玻璃反應釜、金屬反應釜、生物反應器進行升降溫、恒溫控制,尤其適合在反應過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學醫(yī)藥工業(yè)用準確控溫的特殊裝置,用以滿足間歇反應器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進程的加熱及冷卻、恒溫系統(tǒng)。
反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置 產(chǎn)品信息

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


無錫冠亞制冷加熱控溫系統(tǒng)的典型應用:

高壓反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、

雙層玻璃反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、

雙層反應釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、

微通道反應器冷熱源恒溫控制;

小型恒溫控制系統(tǒng)、

蒸餾系統(tǒng)控溫、

材料低溫高溫老化測試、

組合化學冷源熱源恒溫控制、

半導體設備冷卻加熱、

真空室制冷加熱恒溫控制。



型號SUNDI-320SUNDI-420WSUNDI-430W
介質(zhì)溫度范圍-30℃~180℃-40℃~180℃-40℃~200℃
控制系統(tǒng)前饋PID ,無模型自建樹算法,PLC控制器
溫控模式選擇物料溫度控制與設備出口溫度控制模式 可自由選擇
溫差控制設備出口溫度與反應物料溫度的溫差可控制、可設定
程序編輯可編制5條程序,每條程序可編制40段步驟
通信協(xié)議MODBUS RTU 協(xié)議  RS 485接口
物料溫度反饋PT100
溫度反饋設備進口溫度、設備出口溫度、反應器物料溫度(外接溫度傳感器)三點溫度
導熱介質(zhì)溫控精度±0.5℃
反應物料溫控精度±1℃
加熱功率2KW2KW3KW
制冷能力180℃1.5kW1.8kW3kW
50℃1.5kW1.8kW3kW
0℃1.5kW1.8kW3kW
-5℃0.9kW1.2kW2kW
-20℃0.6kW1kW1.5kW
-35℃
0.3kW0.5kW
循環(huán)泵流量、壓力max10L/min

0.8bar

max10L/min

0.8bar

max20L/min

2bar

壓縮機海立/泰康/思科普
膨脹閥丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥
蒸發(fā)器丹佛斯/高力板式換熱器
操作面板7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示、記錄
安全防護具有自我診斷功能;冷凍機過載保護;高壓壓力開關(guān),過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。
密閉循環(huán)系統(tǒng)整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng),高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質(zhì)。
制冷劑R-404A/R507C
接口尺寸G1/2G1/2G1/2
水冷型 W

溫度 20度


450L/H

1.5bar~4bar

G3/8

550L/H

1.5bar~4bar

G3/8

外型尺寸 cm45*65*8745*65*8745*65*120
正壓防爆尺寸
70*75*121.570*75*121.5
標配重量55kg55kg85kg
電源AC 220V 50HZ 2.9kW(max)AC 220V 50HZ 3.3kW(max)AC380V 50HZ  4.5kW(max)
外殼材質(zhì)SUS 304SUS 304SUS 304
選配
正壓防爆  后綴加PEX
選配可選配以太網(wǎng)接口,配置電腦操作軟件
選配選配外置觸摸屏控制器,通信線距離10M
選配電源100V 50HZ單相,110V 60HZ 單相,230V 60HZ 單相, 220V 60HZ 三相,440V~460V 60HZ 三相







反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置

反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置


  半導體生產(chǎn)過程是一個復雜且精細的工藝過程,其中溫度控制是影響產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。接下來,冠亞制冷為您介紹半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項,以確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的可靠性。

  一、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的選擇與安裝

  在選擇溫度控制裝置時,應根據(jù)半導體生產(chǎn)過程的實際需求進行選型??紤]測試環(huán)節(jié)的溫度范圍、精度要求、響應時間等因素,確保所選裝置能夠滿足生產(chǎn)過程的溫度控制需求。同時,注意選擇具有良好穩(wěn)定性和可靠性的溫度控制裝置,以保證生產(chǎn)過程的順利進行。

  在安裝半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循相關(guān)規(guī)范,確保裝置安裝穩(wěn)固、連接可靠。對于需要接入電源的溫度控制裝置,應使用符合要求的電源插座,并確保電源電壓穩(wěn)定,避免對裝置造成損壞。此外,安裝位置的選擇也很重要,應確保裝置遠離熱源、震動源和腐蝕性氣體,以保證其正常運行和延長使用壽命。

  二、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的操作與維護

  在操作半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應遵循設備的操作指南,按照規(guī)定的步驟進行操作。在測試前,應對裝置進行預熱和校準,以確保其準確性。在測試過程中,應密切關(guān)注溫度控制裝置的運行狀態(tài),如發(fā)現(xiàn)異常情況應及時處理。同時,應避免在裝置周圍放置雜物,以免影響其正常運行。

  對于半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的維護,應定期進行清潔和檢查。清潔時,應使用干燥的軟布擦拭裝置表面,避免使用腐蝕性清潔劑。檢查時,應關(guān)注裝置的連接是否緊固、傳感器是否損壞等。如發(fā)現(xiàn)異常情況,應及時聯(lián)系專業(yè)人員進行維修或更換。

  三、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的安全使用

  在使用半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置時,應注意安全事項。應避免在高溫環(huán)境下長時間操作裝置,以免燙傷或引發(fā)火災等事故。其次,對于需要接觸高溫部分的操作,應佩戴防護手套和防護眼鏡等個人防護裝備,確保操作安全。

  四、半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的記錄與監(jiān)控

  為確保半導體生產(chǎn)過程的質(zhì)量追溯和數(shù)據(jù)分析,應對溫度控制裝置的使用情況進行記錄和監(jiān)控。記錄內(nèi)容包括但不限于測試時間、溫度范圍、溫度波動等關(guān)鍵參數(shù)。

總之,半導體生產(chǎn)過程測試環(huán)節(jié)溫度控制裝置的使用注意事項涵蓋多個方面。只有遵循這些注意事項,才能確保溫度控制裝置在半導體生產(chǎn)過程中發(fā)揮作用,提高產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率。




反應釜pid溫度控制 防爆高低溫恒溫循環(huán)裝置



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