離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)

離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)

離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)

型號：NRE-4000
廠家：美國Nanomaster公司
技術(shù)指標:
  氣路：N₂O, SiH₄, NH₃, CH₄, O₂, Ar, N₂
 清洗氣路: CF₄/O₂混合氣體
  樣品尺寸：8英寸table,可沉積6英寸基片
  控溫范圍： 室溫至400℃ 
 沉積材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
主要功能及應(yīng)用范圍：
   PECVD系統(tǒng)可以借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強化學(xué)活性發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出所期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好等優(yōu)點。可沉積氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能夠?qū)崿F(xiàn)對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應(yīng)氣體組分在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積薄膜的折射率，可應(yīng)用于微/納結(jié)構(gòu)中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、薄膜太陽能電池等。