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詳細介紹
上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗箱適用半導(dǎo)體元器件的研發(fā)和工藝改進
1、高溫擴散工藝技術(shù)的改進（重點是高溫長時間擴散，如隔離擴散）包括可能引起硅片內(nèi)部隱裂的工藝技術(shù)改進
2、包封工藝技術(shù)、框架處理工藝技術(shù)的改進
3、塑封料、框架的變更
4、新產(chǎn)品（含新的封裝結(jié)構(gòu)）
5、封裝工藝過程中的污染
上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗箱試驗的目的：評估器件在高溫，高濕，條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程，同時可附帶評價器件外觀的寢蝕（單純評價器件外觀的寢蝕采用GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5A）
上海龍松半導(dǎo)體高溫高濕試驗滿足以下標(biāo)準：
GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C
| 設(shè)計和技術(shù)參數(shù)(半導(dǎo)體高溫高濕試驗箱系列） | ||||||||
| 型號 | LS-TH-80 | LS-TH-120 | LS-TH-225 | LS-TH-408 | LS-TH-504 | LS-TH-800 | LS-TH-1000 | |
| 箱體設(shè)計 | ||||||||
| 試驗箱內(nèi)容積（升） | 80 | 120 | 225 | 408 | 504 | 800 | 1000 | |
試驗箱內(nèi)箱容積尺寸 （mm） | 寬（W) | 400 | 450 | 600 | 600 | 700 | 1000 | 1000 |
| 高（H) | 500 | 600 | 750 | 850 | 900 | 1000 | 1000 | |
| 深（T) | 400 | 450 | 500 | 800 | 800 | 800 | 1000 | |
試驗箱外箱尺寸 （mm） | 寬（W) | 1020 | 1070 | 1220 | 1220 | 1320 | 1630 | 1630 |
| 高（H) | 1350 | 1450 | 1650 | 1750 | 1800 | 1900 | 1900 | |
| 深（T) | 630 | 680 | 730 | 1030 | 1030 | 1030 | 1230 | |
| 溫度試驗參數(shù) | ||||||||
| 溫度 | ℃ | +150 | ||||||
| 升溫速率（平均） | ℃/min | 5 | ||||||
| 溫度波動度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 溫度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 溫度校準值 | ℃ | +23和+80 | ||||||
| 濕度試驗參數(shù) | ||||||||
| 溫度范圍 | ℃ | RT+10~+98 | ||||||
| 溫度波動度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 溫度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 濕度范圍 | %r.h. | 20~+98 | ||||||
| 濕度波動度 | %r.h. | ±1~3.0 | ||||||
| 溫度和濕度校準值 | ℃/% | +23和+125 | ||||||
| r.h | +95和+50 | |||||||
| 供電和連接 | ||||||||
| 額定電壓 | V | 3/N/PE AC 380V ±10% 50Hz | ||||||
| 功率 | KW | 6 | 6.5 | 8 | 10 | 16 | 16 | 18 |
| 箱體凈重 | kg | 300 | 350 | 450 | 500 | 800 | 800 | 850 |
備注： 溫度和濕度值的數(shù)據(jù)采集是在測試室空載的狀況下由傳感器測得 實際測量的溫度值穩(wěn)定在測量值后，再進行溫度波動的測量 根據(jù)特殊使用要求可配置特殊電壓 升溫速度和降溫速度執(zhí)行標(biāo)準依據(jù)IEC60068-3-5 以上性能指標(biāo)是再進水口溫度為25℃，電壓為3/N/PE AC 380V 50Hz下測得 | ||||||||
| 此樣本提供的產(chǎn)品概述僅供參考，既不是相關(guān)的建議和推薦也不是任何合同的一部分。由于本公司的產(chǎn)品會不斷更新，因此我們保留對技術(shù)指標(biāo)變更的權(quán)利，恕不另行通知，謝謝合作。 | ||||||||
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