芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗箱 返回列表頁

芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗箱 :適用于工業(yè)產(chǎn)品高溫、低溫的可靠性試驗。對電子電工汽車、航空航天、船舶兵器、高等院校、科研單位等相關(guān)產(chǎn)品的零部件及材料在高溫、低溫(交變)循環(huán)變化的情況下，檢驗其各項性能指標，具有模擬大氣環(huán)境中溫度變化規(guī)律。材料在高溫，低溫綜合環(huán)境下運輸，使用時適應(yīng)性試驗。用于產(chǎn)品設(shè)計，改進鑒定及檢驗等環(huán)節(jié)。

滿足實驗條件：

GB/T11158-2008高溫試驗箱技術(shù)條件;

GB/T10589-2008低溫試驗箱技術(shù)條件;

GB/T10592-2008高低溫試驗箱技術(shù)條件;

GB/T10586-2006濕熱試驗箱技術(shù)條件;

GB/T2423.1-2008試驗A :低溫試驗方法;

GB/T2423.2-2008試驗B :高溫試驗方法; .

GB/T2423.3-2006濕熱試驗箱試驗方法;

GB/T2423.4-2008交變濕熱試驗方法; 

GB/T2423.22-2002溫度變化試驗方法; 

GB/T 2423.22-2012試驗方法試驗N:溫度變化

GJB150.3-2009高溫試驗

GJB150.4-2009低溫試驗

IEC60068-2-1 : 2007低溫試驗箱試驗方法; IEC68-2-1試驗A:寒冷;

IEC60068-2-2 : 2007高溫試驗箱試驗方法; IEC68-2-2試驗B:干熱;

GJB150.3高溫試驗; GJB150.4 低溫試驗; GJB150.9 濕熱試驗;

芯片高低溫濕熱環(huán)境試驗箱的技術(shù)參數(shù)：