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BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測(cè)試

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更新時(shí)間：2024-10-14 14:29:54瀏覽次數(shù)：198次

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成都中冷低溫科技有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品大小	中型
產(chǎn)品新舊	全新	結(jié)構(gòu)類型	立式
溫度范圍	+105℃~+150℃

BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測(cè)試，HAST測(cè)試系統(tǒng)采用立式結(jié)構(gòu)，便于操作和觀察。它利用高溫高濕的環(huán)境條件，對(duì)半導(dǎo)體芯片施加偏置電壓，以模擬芯片在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中的老化效應(yīng)。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于IC封裝、半導(dǎo)體、微電子芯片、磁性材料及其它電子零件的可靠性測(cè)試。

詳細(xì)介紹

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BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測(cè)試

HAST半導(dǎo)體芯片立式偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)，HAST測(cè)試系統(tǒng)采用立式結(jié)構(gòu)，便于操作和觀察。它利用高溫高濕的環(huán)境條件，對(duì)半導(dǎo)體芯片施加偏置電壓，以模擬芯片在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中的老化效應(yīng)。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于IC封裝、半導(dǎo)體、微電子芯片、磁性材料及其它電子零件的可靠性測(cè)試。

BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測(cè)試

HAST半導(dǎo)體芯片立式偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)適用于各種封裝形式的射頻場(chǎng)效應(yīng)管、射頻功率器件等半導(dǎo)體芯片的可靠性測(cè)試。通過(guò)該測(cè)試，可以評(píng)估芯片在高溫高濕環(huán)境下的性能穩(wěn)定性、壽命以及潛在的失效模式，為芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供重要依據(jù)。

BiasHAST高加速壽命偏壓MOSFET-HAST測(cè)試

B-HAST高加速壽命偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)適用于IC封裝，半導(dǎo)體，微電子芯片，磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴性試驗(yàn)，使用于在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段，用于快速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱環(huán)節(jié)。測(cè)試其制品的密封性和老化性能。

B-HAST高加速壽命偏壓老化測(cè)試系統(tǒng)是將被測(cè)元件放置于一定的環(huán)境溫度中,（環(huán)境溫度依據(jù)被測(cè)元件規(guī)格設(shè)定）給被測(cè)元件施加一定的偏置電壓。同時(shí)控制系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)材料的漏電流，電壓，并根據(jù)預(yù)先設(shè)定，當(dāng)被測(cè)材料實(shí)時(shí)漏電流超出設(shè)定時(shí)，自動(dòng)切斷被測(cè)材料的電壓，可以保護(hù)被測(cè)元件不被進(jìn)一步燒毀。