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詳細(xì)介紹
在大規(guī)模的集成電路超純水水質(zhì)中，優(yōu)先獲得關(guān)注的水質(zhì)指標(biāo)為：電阻率、TOC、硅、微粒、重金屬、溶解氧、堿金屬等，這類(lèi)物質(zhì)會(huì)溶于水中，而在集成電路芯片的制造過(guò)程中，使用的水質(zhì)中所含離子成分越多，則對(duì)產(chǎn)品的制造工藝的影響越大，使得產(chǎn)品良率降低。
集成電路的超純水設(shè)備常用于工業(yè)半導(dǎo)體原材料和所用器皿的清洗、光刻掩膜板的制作以及硅片氧化用的水汽源等。此外真空管等的制作、厚膜和薄膜電路、固態(tài)電子器件、印刷電路等也都是需要使用超純水。隨著科技的不斷發(fā)展，集成電路的集成度與日俱增，對(duì)水質(zhì)的要求也隨之增高，從而使得超純水處理工藝及產(chǎn)品的可持續(xù)性、生產(chǎn)的連續(xù)性、設(shè)備的自動(dòng)化和簡(jiǎn)易性都提出了更加嚴(yán)格的要求。
工藝流程：
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→級(jí)反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級(jí)反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級(jí)反滲透機(jī)→中間水箱→中間水泵→EDI系統(tǒng)→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)
滲源純水針對(duì)于現(xiàn)在的集成電路用超純水設(shè)備采用*的全自動(dòng)雙級(jí)反滲透+EDI電除鹽+拋光混床處理技術(shù)，在前置預(yù)處理部分配套使用反滲透處理，能有效的去除水中各種鹽分和雜質(zhì)，緊接著使用EDI電除鹽和拋光混床技術(shù)，能有效的去除水質(zhì)的可溶性離子，進(jìn)一步的提升出水水質(zhì)，使得最終的出水水質(zhì)達(dá)到用水工藝要求。
設(shè)備特點(diǎn)：
1.采用進(jìn)口增壓泵，噪音低效率高，穩(wěn)定可靠
2.全自動(dòng)電控程序，還可選配觸摸屏操作，使用方便。
3.采用全自動(dòng)預(yù)處理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)無(wú)人化操作，減少人工維護(hù)成本。
4.采用進(jìn)口反滲透膜，脫鹽率高，使用壽命長(zhǎng)，運(yùn)行成本低廉。
5.切合當(dāng)?shù)厮|(zhì)的個(gè)性化設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足需求。
6.在線(xiàn)水質(zhì)監(jiān)測(cè)控制，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)水質(zhì)變化，保障水質(zhì)安全。
7.節(jié)省了再生用水及再生污水處理設(shè)施，產(chǎn)水率高(可達(dá)95%)。
8.無(wú)須酸堿儲(chǔ)備和酸堿稀釋運(yùn)送設(shè)施，使用安全可靠，避免工人接觸酸堿。
9.簡(jiǎn)化安裝過(guò)程，降低場(chǎng)地占地面積。
應(yīng)用領(lǐng)域：
1、半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路成品、半成品用超純水。
2、晶體管生產(chǎn)中主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制。
3、半導(dǎo)體材料、晶元材料生產(chǎn)、加工、清洗。
4、集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片。
5、電子管生產(chǎn)、電子管陰極涂敷碳酸鹽配液。
6、光電產(chǎn)品、其他高科技精微產(chǎn)品 。
7、顯像管和陰極射線(xiàn)管生產(chǎn)、配料用純水。
8、電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗。
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