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勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2022-11-03 11:50:52瀏覽次數(shù):216

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng),實(shí)時(shí)確定晶體方向,精度高達(dá)0.1度;PSEL 軟件定向誤差低至 0.05度;

詳細(xì)介紹

勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng)

  • 背散射勞厄測(cè)試系統(tǒng),實(shí)時(shí)確定晶體方向,精度高達(dá)0.1度;
  • PSEL 軟件定向誤差低至 0.05度;
  • 多晶硅片二維定向mapping;
  • 大批量樣品篩選;
  • 超20kg重負(fù)荷樣品定位

水平放置系統(tǒng)

特征

優(yōu)點(diǎn)

<200um 光束尺寸

可測(cè)量小 晶體

電動(dòng)位移臺(tái)

可沿生長(zhǎng)軸軸向掃描

電動(dòng)角位移

與同步加速器/中子設(shè)備直接兼容

手動(dòng)角位移

與切割刀具直接兼容

垂直放置系統(tǒng)

特征

優(yōu)點(diǎn)

<200um 光斑

適用于小晶粒的多晶結(jié)構(gòu)

大范圍電動(dòng)線性掃描位移臺(tái)

允許自動(dòng)晶圓mapping或多個(gè)樣品

電動(dòng)Z 軸驅(qū)動(dòng)

適用大尺寸晶棒或樣品

手動(dòng)角位移

允許定位到+/- 0.02度精度

配備PSEL CCD 背反射勞厄X-RAY 探測(cè)器

  • 有效輸入探測(cè)面約: 155*105 mm
  • 最小輸入有效像素尺寸83um,1867*1265 像素陣列
  • 可選曝光時(shí)間從1ms 到35分鐘
  • 芯片上像素疊加允許以犧牲分辨率為代價(jià)增強(qiáng)靈敏度
  • 自動(dòng)背景扣除模式
  • 16位高精度采集模式
  • 12位快速預(yù)覽模式
  • PSEL 勞厄影像采集處理專業(yè)軟件

勞厄影像校準(zhǔn)軟件:

  • 自動(dòng)檢測(cè)衍射斑點(diǎn),并根據(jù)參考晶體計(jì)算斑點(diǎn)位置;
  • 根據(jù)測(cè)角儀和晶體軸自動(dòng)計(jì)算定向誤差(不需要手動(dòng)擬合扭曲的圖形)
  • 以CSV格式保存角度測(cè)量值,以進(jìn)一步保證質(zhì)量的可追溯性;
  • 頂部到底部的終端用戶菜單,允許結(jié)晶學(xué)用戶自行逐步確認(rèn)定位程序;
  • 基于Python的軟件,允許使用套接字命令對(duì)現(xiàn)有軟件/系統(tǒng)進(jìn)行遠(yuǎn)程訪問控制;

系統(tǒng)附件包括

  • 勞厄X-RAY 探測(cè)器
  • 勞厄校準(zhǔn)軟件
  • 高亮度X-RAY 發(fā)生器
  • 電動(dòng)/手動(dòng) 角位移臺(tái)& 高精度位移臺(tái);
  • 樣本定位/視頻監(jiān)控 攝像頭;
  • 激光距離傳感器/操縱桿

典型勞厄衍射應(yīng)用圖樣:

勞厄單晶取向測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用方向:

  • 探測(cè)器材料: HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb;
  • 窗口玻璃材料&壓電/鐵電陶瓷: Al2O3, Quantz,LiNbO3
  • 金屬合金: 鎢,鉬,鎳基合金;
  • 激光晶體材料: YAG, KTP, GaAs
  • 薄膜/半導(dǎo)體基地材料: AIN, InP SiC;
  • 磁性&超導(dǎo)材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe, NbSn/NbTi
  • 閃爍體材料: BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2;

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