詳細(xì)介紹
技術(shù)指標(biāo):小樣品瞬時升溫速度約1000℃/min,可強制風(fēng)冷:小樣品降溫速度約500℃/min。
用途:可用于研究晶體生長、材料合成的動力學(xué),捕捉晶體生長或形核萌生階段原位的形態(tài)、生長機制、相變等信息。舉例:
(1)六鈦酸鉀晶須K2Ti6O13w的納米崩解生長機制的原位再現(xiàn)(右圖);
(2)煤的超快速熱解;
(3)快速熱處理
唐山納源微波熱工儀器制造有限公司 |
參考價 | 面議 |
更新時間:2022-11-07 09:04:05瀏覽次數(shù):169
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技術(shù)指標(biāo):小樣品瞬時升溫速度約1000℃/min,可強制風(fēng)冷:小樣品降溫速度約500℃/min。
用途:可用于研究晶體生長、材料合成的動力學(xué),捕捉晶體生長或形核萌生階段原位的形態(tài)、生長機制、相變等信息。舉例:
(1)六鈦酸鉀晶須K2Ti6O13w的納米崩解生長機制的原位再現(xiàn)(右圖);
(2)煤的超快速熱解;
(3)快速熱處理