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詳細介紹
實驗機理
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：
1, 電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。
2, 通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
主要特點
我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐可實現(xiàn)快速升溫和降溫。
3. 設(shè)備的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號 | BTF-1200C-SL-PECVD |
工作電源 | AC220V /50HZ |
工作電源 | AC220V /50HZ |
額定功率 | 3KW |
爐管尺寸 | Φ50/60/80/100(可選）*1650mm |
工作溫度 | 1100℃ |
Z高溫度 | 1200℃ |
控溫精度 | ±1℃ |
升溫速率 | 10℃/min |
加熱元件 | 電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） |
加熱區(qū)長度 | 440mm/220mm |
恒溫區(qū)長度 | 200mm/100mm（±1℃） |
控溫方式 | 模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 |
爐門結(jié)構(gòu) | 開啟式 |
氣路系統(tǒng)（可定制） | 1、系統(tǒng)內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量。2、氣體流量范圍1-1000sccm（可選），誤差為±1.5%。3、一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。4、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。 |
射頻電源與匹配器500W/150W | 1、電源：單相50/60Hz 220v±10% |
真空機組 | 低真空或高真空機組（根據(jù)實際需要） |
各組成部分名稱
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