化學氣相沉積爐（CVD系統(tǒng)）

一、產(chǎn)品應(yīng)用

  高真空CVD系統(tǒng)是一款專業(yè)在沉底材料上生長高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領(lǐng)域。

二、產(chǎn)品特點

  高真空CVD系統(tǒng)主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、分子泵機組、自動化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;

2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環(huán)境;

3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優(yōu)質(zhì)摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；

4、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時間工作;

5、氣路系統(tǒng)采用兩路質(zhì)量流量計(可拓展多路),配預(yù)混系統(tǒng);

6、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6；

7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關(guān)的實驗參數(shù)，自動保存實驗參數(shù)，也可采用手動控制；

8、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。

三、技術(shù)參數(shù)