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陜西天士立科技有限公司


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晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng)

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參   考   價: 259000

訂  貨  量: ≥1 套

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號STD2000

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:王偉查看聯(lián)系方式

更新時間:2024-04-29 16:26:09瀏覽次數(shù):206次

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經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:13條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:王偉 (總經(jīng)理)

產(chǎn)品簡介
產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新

陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf

詳細(xì)介紹

 

半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

 

晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng)



晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng)


陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件參數(shù)測試儀系統(tǒng)可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on))以及IV特性曲線等

 

 

一、產(chǎn)品信息及規(guī)格

產(chǎn)品型號:STD2000

產(chǎn)品名稱:半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

主機尺寸:深660*430*210(mm)

主機重量:<35kg

主機功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 4000m;

環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下)

大氣壓力:86Kpa106Kpa;

防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz

工作時間:連續(xù);

 

二、產(chǎn)品特點

三代半:優(yōu)秀的性能應(yīng)對第三代半導(dǎo)體及傳統(tǒng)器件,Si, sic,GaN 器件

測試品類:覆蓋 25 類常見的電子元器件及 IC 類,且支持定制擴展

功能豐富:輕松表征元器件“靜態(tài)特性"“IV 曲線"“Cxss"“CV"

分析篩選:功能全面,配置豐富,勝任實驗室場景中各類電參數(shù)表征

量產(chǎn)測試:1h高達(dá) 7K~12K 的測試效率,可連接“分選機"“編帶機"Prober 接口、16Bin

一鍵加熱:一鍵脈沖自動加熱至+130°C,耗時< 1s

高壓源:1400V (選配 2KV)

高流源:40A(選配 100A,200A,500A)

驅(qū)動電壓:20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)

漏電測量:1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測量,表現(xiàn)出優(yōu)秀的一致性和穩(wěn)定性,更有1.5pA 微電流測量選件可供選擇。

高精度:16 ADC/DAC,0.1%精度,1M/S采樣速率

程控軟件:基于Lab VIEW 平臺開發(fā)的填充式菜單軟件界面

夾具工裝:適配各類封裝形式的器件,自動識別器件極性 NPN/PNP

校準(zhǔn):系統(tǒng)自帶校準(zhǔn)軟件,也可通過 RS232 接口連接數(shù)字表進(jìn)行校驗

 

晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng)


三、測試范圍

01. Diode / 二極管(穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋)

02. BJT / 三極管

03. Mosfet & JFET / 場效應(yīng)管

04. SCR / 可控硅(單向/雙向)

05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管

06. OC / 光耦

07. Relay / 繼電器

08. Darlington tube / 達(dá)林頓陣列

09. Current sensor/電流傳感器

10. 基準(zhǔn)IC(TL431)

11. 電壓復(fù)位IC

12. 穩(wěn)壓器(三端/四端)

13. 三端開關(guān)功率驅(qū)動器

14. 七端半橋驅(qū)動器

15. 高邊功率開關(guān)

16. 電壓保護(hù)器(單組/雙組)

17. 開關(guān)穩(wěn)壓集成器

18. 壓敏電阻

19.電壓監(jiān)控器


四、測試參數(shù)

漏電參數(shù):IRICBO、LCEO/S/XIDSS/X、IDOFF、IDRMIRRM、ICOFF、IDGOICES、IGESFIGESR、IEBOIGSSF、IGSSRIGSS、IGKO、IR(OPTO)

擊穿參數(shù):BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VDBVCBO、VDRMVRRM、VBBBVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZBVEBO、BVGSS、BVGKO

導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEONVF、VT、VT+、VT-、VONVDSON、VDON、VGSONVF(Opto-Diode)VGSTH、VTMVGETH、VSD、IDONVSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEONIIN(Regulator)

關(guān)斷參數(shù):VGSOFF

觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT

保持參數(shù):IHIH+、IH-

鎖定參數(shù):IL、IL+IL-

增益參數(shù):hFE、CTR、gFS

間接參數(shù):IL

混合參數(shù):RDSONgFS、Input@Output / Regulation


五、應(yīng)用場景

1、測試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計階段的初始測試,主要功能為曲線追蹤儀

2、失效分析(對失效器件進(jìn)行測試分析,查找失效機理。以便于對電子整機的整體設(shè)計和使用過程提出改善方案)

3、選型配對(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測試,將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對)

4、來料檢驗(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)

5、量產(chǎn)測試(可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設(shè)備,實現(xiàn)規(guī)?;⒆詣踊瘻y試)

6、替代進(jìn)口(半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)可替代同級別進(jìn)口產(chǎn)品)


晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng)

 

 

六、性能指標(biāo)

 

晶體管參數(shù)測試儀系統(tǒng) 

 

關(guān)鍵詞:溫度計 分選機 傳感器

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