詳細介紹
主要特點
1. 薄膜沉積速率高:采用了甚高頻技術(shù),大大的提高了薄膜的沉積速率,沉積速率可達10Å/S;
2. 大面積均勻性高:采用了*的多點射頻饋入技術(shù),特殊氣路分布和加熱技術(shù)等,使得薄膜均勻性指標達到8%;
3. 一致性高:用半導(dǎo)體行業(yè)的*設(shè)計理念,使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;
4. 工藝穩(wěn)定性高:高度穩(wěn)定的設(shè)備保證了工藝的連續(xù)和穩(wěn)定;
5. 選配物料噴射系統(tǒng),可將原料直接噴射到反應(yīng)區(qū)。
技術(shù)參數(shù)
真空管式爐 | 爐管尺寸: | 外徑Φ50×700mm |
極限溫度: | 1200℃ | |
溫度控制器: | PID自動控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器 | |
zui快升降溫速率: | 60℃ | |
加熱區(qū): | 230mm | |
恒溫區(qū): | 100mm | |
溫度精度: | ±1℃ | |
電源: | 單相220V,交流50Hz | |
多通道流量計控制系統(tǒng) | 標準量程: | 100,200SCCM;(以氮氣標定,除以上標準外量程可選) |
準確度: | ±1.5% | |
工作壓差范圍: | 0.1~0.5 MPa | |
zui大壓力: | 3MPa | |
接頭類型: | Φ6雙卡套不銹鋼接頭 | |
高真空系統(tǒng)
| 泵體積流量N2: | 33 L/S |
壓縮比: | ≥1011mbar | |
實驗真空值: | ≤10-6mbar | |
功率消耗: | 140W | |
啟動時間: | 2min | |
電源要求: | 185-265V AC | |
射頻電源 | 信號頻率: | 13.56MHz±0.005%W |
功率輸出范圍: | 0-100W | |
zui大反射功率: | 10W |