產(chǎn)地：德國(guó)

具采用的密封充氣紫外光學(xué)系統(tǒng)和OPI水平觀測(cè)等離子光學(xué)接口完成消除水平觀測(cè)時(shí)尾焰的影響、全譜CCD技術(shù)和多視角等離子體定位等新技術(shù)，有高靈敏度、高精度以及波長(zhǎng)范圍寬（130nm-770nm) 等特性，在ICP-OES 領(lǐng)域開(kāi)拓了全新的應(yīng)用，可分析包括ppm級(jí)鹵素在內(nèi)的73個(gè)金屬和非金屬元素。 

主要特點(diǎn) 
1.一維色散＋32個(gè)CCD檢測(cè)器設(shè)計(jì)，檢測(cè)器無(wú)需超低溫冷卻，無(wú)需氬氣吹掃保護(hù) 
2.全波長(zhǎng)覆蓋，*為130－770nm的波長(zhǎng)范圍，*可以分析ppm級(jí)鹵素 
3.密閉充氬循環(huán)光路系統(tǒng)，檢測(cè)190nm以下譜線，無(wú)需氣體吹掃 
4.3秒實(shí)現(xiàn)真正全譜數(shù)據(jù)采集，分析速度zui快 
5.所有氣體流量采用質(zhì)量流量計(jì)計(jì)算機(jī)控制，矩管位置3維步進(jìn)馬達(dá)計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)化程度高 

技術(shù)參數(shù)： 
光學(xué)系統(tǒng) 
焦距：0.75米 
光譜范圍：130nm – 770nm 
光柵：三光柵 
- 3600線/毫米 (130nm – 175nm) 
- 3600線/毫米 (175nm – 340nm) 
- 1800線/毫米 (340nm – 770nm) 
光譜級(jí)次：全波長(zhǎng)一級(jí)光譜 
32個(gè)線性CCD連續(xù) 排列在羅蘭圓上 
每個(gè)CCD的像素?cái)?shù)：3648 
分辨率：8.5pm （恒定不變） 
光室密閉充氬，無(wú)需吹掃（驅(qū)氣）和抽真空 
光室恒溫: 15℃ （ 0.1 ℃） 
- 開(kāi)機(jī)即可使用 
- 測(cè)量130nm – 190nm波段方便快捷 
信號(hào)檢測(cè)與讀出系統(tǒng) 
32個(gè)線性陣列CCD 
工作溫度：15 ℃ （ 0.1 ℃），無(wú)須制冷， 
無(wú)須吹掃保護(hù)性氣流 
超高速數(shù)據(jù)讀取：雙CPU，平行數(shù)據(jù)讀出 
*的動(dòng)態(tài)范圍：108 
zui短積分時(shí)間：0.1ms 
可進(jìn)行瞬時(shí)信號(hào)的測(cè)量：與LC、HPLC等聯(lián)機(jī)成為真正可能 
決無(wú)“溢出”現(xiàn)象 
長(zhǎng)壽命 
等 離 子 體 
自激式固態(tài)發(fā)生器和電源 
頻率：27.12MHz 
功率：750 - 1700W 
功率穩(wěn)定性：<0.1% 
風(fēng)冷 
全自動(dòng)控制，功率連續(xù)可調(diào) 
耦合效率高 
等離子體觀測(cè)方式 
1、等離子體水平放置，軸向觀測(cè) 
可有效提高儀器的靈敏度10倍，尤其對(duì)于激發(fā)電位較低的元素，如：Zn、K、Na 
的OPI技術(shù) 
冷錐冷卻方式：水冷，冷卻效率高 
計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制冷錐與等離子體 
的相對(duì)位置 
氬氣反吹，在保證遠(yuǎn)紫外波段的光 
效率前提下，冷錐和光路（包括透 
鏡）無(wú)污染的可能 
2、等離子體垂直放置，徑向觀測(cè) 
等離子體垂直放置優(yōu)點(diǎn)： 
不會(huì)燒炬管 
減少基體干擾 
減少進(jìn)樣系統(tǒng)沖洗時(shí)間 
實(shí)驗(yàn)成本降低 
分析速度快

2011型ICP單道掃描光譜儀	1000II型ICP單道掃描光	BLUE 型全譜直讀等離子體發(fā)	Genesis 型全譜直讀等離
ARCOS 型全譜直讀等離子體

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