廈門航拓電氣有限公司

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洪工
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廈門市湖里區(qū)華泰路5-11海西工業(yè)設(shè)計(jì)中心3樓309
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361000
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  • 所在地 廈門市

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更新時(shí)間:2017-06-16 15:47:48瀏覽次數(shù):376

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【詳細(xì)說(shuō)明】

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無(wú)損檢測(cè)就是在不損傷和不破壞材料、制品或構(gòu)件的情況下,就能檢測(cè)出它們內(nèi)部的情況,判別內(nèi)部有無(wú)缺陷?,F(xiàn)代無(wú)損檢測(cè)的方法很多,例如:超聲波探傷法、渦流探傷法、熒光探傷法及射線檢測(cè)法等。射線檢測(cè)法即可檢查工件表面又可檢查工件內(nèi)部的缺陷。設(shè)備可以采用放射性同位素Co60產(chǎn)生的γ射線、X光機(jī)產(chǎn)生的低能X射線和電子加速器產(chǎn)生的高能X射線。尤其是探傷加速器的穿透本領(lǐng)和靈敏度高,作為一種zui終檢查手段或其它探傷方法的驗(yàn)證手段及在質(zhì)量控制中,在大型鑄鍛焊件、大型壓力容器、反應(yīng)堆壓力殼、火箭的固體燃料等工件的缺陷檢驗(yàn)中得到廣泛的應(yīng)用。這種探傷加速器以電子直線加速器為主要機(jī)型。


超大規(guī)模集成電路是指集成度(每塊芯片所包含的元器件數(shù))大于10的集成電路。集成電路一般是在一塊厚0.2~0.5mm、面積約為0.5mm的P型硅片上通過(guò)平面工藝制做成的。這種硅片(稱為集成電路的基片)上可以做出包含為十個(gè)(或更多)二極管、電阻、電容和連接導(dǎo)線的電路

與分立元器件相比,集成電路元器件有以下特點(diǎn):

1. 單個(gè)元器件的精度不高,受溫度影響也較大,但在同一硅片上用相同工藝制造出來(lái)的元器件性能比較*,對(duì)稱性好,相鄰元器件的溫度差別小,因而同一類元器件溫度特性也基本*;

2. 集成電阻及電容的數(shù)值范圍窄,數(shù)值較大的電阻、電容占用硅片面積大。集成電阻一般在幾十Ω~幾十 kΩ范圍內(nèi),電容一般為幾十pF。電感目前不能集成;

3. 元器件性能參數(shù)的誤差比較大,而同類元器件性能參數(shù)之比值比較精確;

4. 縱向NPN管β值較大,占用硅片面積小,容易制造。而橫向PNP管的β值很小,但其PN結(jié)的耐壓高。

它的設(shè)計(jì)特點(diǎn):

由于制造工藝及元器件的特點(diǎn),模擬集成電路在電路設(shè)計(jì)思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。

1. 在所用元器件方面,盡可能地多用晶體管,少用電阻、電容;

2. 在電路形式上大量選用差動(dòng)放大電路與各種恒流源電路,級(jí)間耦合采用直接耦合方式;

3. 盡可能地利用參數(shù)補(bǔ)償原理把對(duì)單個(gè)元器件的高精度要求轉(zhuǎn)化為對(duì)兩個(gè)器件有相同參數(shù)誤差的要求;盡量選擇特性只受電阻或其它參數(shù)比值影響的電路

“超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)專項(xiàng)的實(shí)施和順利進(jìn)展,為我國(guó)在2010年由*二大集成電路消費(fèi)國(guó)走向集成電路設(shè)計(jì)大國(guó)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。”這是在zui近的一次會(huì)議上國(guó)家“十五”863超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)專項(xiàng)負(fù)責(zé)人說(shuō)過(guò)的一句話。

對(duì)集成電路的作用,行內(nèi)有四句話形容的非常好,說(shuō)是:電子信息產(chǎn)品和國(guó)防電子裝備的核心,是信息產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力zui重要的體現(xiàn),是信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)掌握發(fā)展主動(dòng)權(quán)和實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展的基石,是自主發(fā)展信息產(chǎn)業(yè)和現(xiàn)代服務(wù)業(yè)并提高其附加值所*的技術(shù)保證。

“掌握集成電路和軟件的關(guān)鍵技術(shù)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,對(duì)我國(guó)實(shí)現(xiàn)以信息化帶動(dòng)工業(yè)化,確保國(guó)家信息安全,具有至關(guān)重要的作用。”該負(fù)責(zé)人說(shuō)。

“集成電路和軟件重大專項(xiàng)”是我國(guó)“十五”計(jì)劃期間的十二項(xiàng)重大科技專項(xiàng)之一。*在863計(jì)劃集成電路方面,共設(shè)立了超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)、100nm集成電路制造裝備和集成電路配套材料三個(gè)專項(xiàng),而在超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)方面成果尤為顯著。

 

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