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詳細(xì)介紹
PECS II精密刻蝕鍍膜儀
儀器簡(jiǎn)介：
PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設(shè)備。
對(duì)于同一個(gè)樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜。
一款獨(dú)立、結(jié)構(gòu)緊湊的臺(tái)式設(shè)備。采用兩個(gè)寬束氬離子源對(duì)樣品表面進(jìn)行拋光， 去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在 SEM， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
采用 WhisperLok®技術(shù)，可選 配溫控液氮冷卻臺(tái)。該功能有助于避免拋光過(guò)程 中產(chǎn)生的熱量而導(dǎo)致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化。
PECS II內(nèi)置了一個(gè) 10 英寸的觸摸屏。不管新手還是專家級(jí)用戶，都可提高樣品的加工可控性 及可重復(fù)性。數(shù)碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件，可實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加工過(guò)程的實(shí)時(shí) 監(jiān)控及儲(chǔ)存彩色照片，這便于在SEM中進(jìn)行樣品檢查和分析。
性能優(yōu)點(diǎn)：
WhisperLok 系統(tǒng)： 無(wú)需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品。
低能聚焦潘寧離子槍：可加工對(duì)表面損傷敏感的樣品，包括 EBSD和 CL。
能量從0.1 – 8.0 keV可調(diào): 改進(jìn)低能拋光效果，減少非晶層；提供更高的能量，以提高拋光速度。
液氮樣品冷卻： 保護(hù)樣品，避免離子束熱損傷，去除可能的假象。
10 英寸觸摸屏控制：快速，簡(jiǎn)便地訪問(wèn)所有的控制參數(shù)；無(wú)需電腦。
數(shù)碼變焦顯微鏡： 實(shí)時(shí)監(jiān)控加工過(guò)程。
DigitalMicrograph 軟件彩照存儲(chǔ)： 將存儲(chǔ)的光學(xué)圖像與其他分析系統(tǒng)的數(shù)據(jù)做關(guān)聯(lián)分析。
濺射沉積： 濺射靶材至樣品表面，防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電。
主要應(yīng)用：
半導(dǎo)體
金屬（氧化物，合金）
陶瓷
自然資源
技術(shù)規(guī)格：
| 離子源 | |
| 離子槍 | 兩個(gè)配有稀土磁鐵的潘寧離子槍 |
| 拋光角度 | 0 到18°，每支離子槍可獨(dú)立調(diào)節(jié) |
| 離子束能量 (kV) | 0.1 – 8.0 |
| 離子束流密度峰值(mA/cm2) | 10 |
| 拋光速率 (µm/h) | 90（對(duì)于硅試樣） |
| 離子束直徑 | 可用氣體流量計(jì)或放電電壓來(lái)調(diào)節(jié) |
| 樣品臺(tái) | |
| 樣品大小(長(zhǎng) × 寬 ×高, mm) | 32 × 15 |
| 轉(zhuǎn)速 (rpm) | 1 – 6 |
| 離子束調(diào)制 | 角度范圍可調(diào)的單向調(diào)制或雙向調(diào)制 |
| 樣品觀察 | 數(shù)碼變焦顯微鏡，配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件（選配件） |
| 真空系統(tǒng) | |
| 干泵系統(tǒng) | 兩級(jí)隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵 |
| 壓力 (torr) | |
| 基本壓力 | 5 × 10-6 |
| 工作壓力 | 8 × 10-5 |
| 真空規(guī) | 冷陰極型，用于主樣品室；固體型，用 于 前級(jí)機(jī)械泵 |
| 樣品氣鎖 | WhisperLok技術(shù)，樣品交換時(shí)間小于1 分鐘 |
| 用戶界面 | |
| 10 英寸彩色觸摸屏 | 操作簡(jiǎn)單，且能夠控制所有參數(shù)和配方式操作 |
| 尺寸及使用要求 | |
| 外形尺寸 (長(zhǎng) × 寬× 高, mm) | 575 × 495 × 615 |
| 運(yùn)輸重量(kg) | 45 |
| 功耗 (W) | |
| 運(yùn)行時(shí) | 200 |
| 待機(jī)時(shí) | 100 |
| 電源要求 | 通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用戶額定電壓和頻率） |
| 氬氣(psi) | 25 |
訂貨編號(hào)：LR-200636
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