詳細介紹
夾層電阻的優(yōu)勢是阻值很高,缺點是對電壓比較敏感。A20B-0005-0290對該夾層電阻進行I-V掃描,起始電壓為0 V,步進為0.5 V,結(jié)果發(fā)現(xiàn)如下特性:當(dāng)電阻兩端電壓從0開始增加時,夾層電阻的阻值迅速上升,但是到電壓超過4 V左右后,電阻阻值雖然還是繼續(xù)增加,但是此時呈現(xiàn)出線性上升的特性,即電阻跟隨電壓呈比例地上升,當(dāng)電壓到14~15 V左右時,電阻開始急劇減小,呈現(xiàn)出擊穿效應(yīng)。把上述電阻測試時的I-V數(shù)值進行曲線擬合。
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因此在圖2中,拐點Vp就是該P溝道JFET管的夾斷電壓,當(dāng)-Vds電壓超過Vp后,JFET管產(chǎn)生夾斷,源漏電流開始趨于穩(wěn)定。拐點Vb為該P溝道JFET管的擊穿電壓,當(dāng)-Vds電壓大于Vb后,JFET管產(chǎn)生擊穿,Ids增大。
在前面的夾層電阻測試時,實際上是把PJFET管的柵端(Gate)和源端(Source)短接,形成了圖4所示的連接結(jié)構(gòu)。
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