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  • 所在地 廈門市

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更新時間:2017-05-31 11:03:53瀏覽次數(shù):306

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產(chǎn)品簡介

小張工、 :【】 數(shù)控機(jī)床由于其本身的運(yùn)動比較復(fù)雜,因此其運(yùn)動過程中產(chǎn)生的各種誤差相對來說也比較復(fù)雜。目前所采用的測量方法很多,其中大多都是利用激光測量。A20B-0005-0321傳統(tǒng)的方法對機(jī)床的體積定位精度的完整檢測非常復(fù)雜和耗時。

詳細(xì)介紹

    在電子電路中,去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。A20B-0005-0321對于同一個電路來說,旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象,把前級攜帶的高頻雜波濾除,而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容,是把輸出信號的干擾作為濾除對象。去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方,用來消除自激,使放大器穩(wěn)定工作。從電路來說,總是存在驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,驅(qū)動電路要把電容充電、放電,才能完成信號的跳變,在上升沿比較陡峭的時候,電流比較大,這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流

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    因此在圖2中,拐點(diǎn)Vp就是該P(yáng)溝道JFET管的夾斷電壓,當(dāng)-Vds電壓超過Vp后,JFET管產(chǎn)生夾斷,源漏電流開始趨于穩(wěn)定。拐點(diǎn)Vb為該P(yáng)溝道JFET管的擊穿電壓,當(dāng)-Vds電壓大于Vb后,JFET管產(chǎn)生擊穿,Ids增大。

  在前面的夾層電阻測試時,實(shí)際上是把PJFET管的柵端(Gate)和源端(Source)短接,形成了圖4所示的連接結(jié)構(gòu)。

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