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    增加FET柵極與FET控制引腳之間的隔離電阻器阻值，可通過(guò)延長(zhǎng)FET關(guān)斷時(shí)間而減小電壓瞬變的幅度。同時(shí)，這還通過(guò)涉及FET電容的RC時(shí)間常數(shù)延長(zhǎng)了功率FET的導(dǎo)通時(shí)間。需要注意的是，兩處情況下都有隔離電阻器的存在。

　　功率FET關(guān)斷速度過(guò)慢會(huì)導(dǎo)致功率FET損壞或掉電。如圖2所示，大多數(shù)功率FET產(chǎn)品數(shù)據(jù)表都提供FET電流與VDS和持續(xù)時(shí)間之間關(guān)系的曲線圖。例如短路電流為100A的20V電池組，圖2顯示了FET在該條件下能維持運(yùn)行1毫秒。

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    該電感能量發(fā)散到開路負(fù)載，A20B-0009-0021直至電壓升高到足以激活相連電路的ESD(靜電阻抗器)二極管。如果能量足夠多，元件會(huì)承受過(guò)大的電應(yīng)力。跡線中儲(chǔ)存的能量大小是跡線的電感與流向負(fù)載的電流之積。跡線中儲(chǔ)存的能量在放電短路條件下zui多，在電芯電壓引腳處進(jìn)行濾波有助于降低EOS(電氣過(guò)應(yīng)力)事件發(fā)生概率。實(shí)踐中應(yīng)使跡線盡可能短和盡可能寬，另外還應(yīng)仔細(xì)選擇負(fù)載與功率FET之間的線纜的尺寸和長(zhǎng)度。這是可能引起高電壓瞬態(tài)事件的另一個(gè)因素。

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