詳細介紹
增加FET柵極與FET控制引腳之間的隔離電阻器阻值,A20B-0009-0031可通過延長FET關(guān)斷時間而減小電壓瞬變的幅度。同時,這還通過涉及FET電容的RC時間常數(shù)延長了功率FET的導(dǎo)通時間。需要注意的是,兩處情況下都有隔離電阻器的存在。
功率FET關(guān)斷速度過慢會導(dǎo)致功率FET損壞或掉電。如圖2所示,大多數(shù)功率FET產(chǎn)品數(shù)據(jù)表都提供FET電流與VDS和持續(xù)時間之間關(guān)系的曲線圖。例如短路電流為100A的20V電池組,圖2顯示了FET在該條件下能維持運行1毫秒。
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OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 在這個面積有限的RDS(on)操作
實踐中通常對DSC限值與涌入電流持續(xù)時間進行平衡,涌入電流可能大到工作電流的100倍或更高。圖3顯示了涌入電流瞬態(tài)事件的一個例子,其中涌入電流峰值為270A,工作電流消耗為8A。如果允許涌入電流沖破DSC限值,則FET將在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。
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