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TESCAN S9000X 氙等離子源雙束FIB系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2018-12-06 09:25:10瀏覽次數(shù):593

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地 國產(chǎn) 產(chǎn)品新舊 全新
TESCAN S9000X 氙等離子源雙束FIB系統(tǒng)是半導(dǎo)體和材料表征中具挑戰(zhàn)性的物理失效分析應(yīng)用的平臺(tái),具有*的精度和*的效率。

詳細(xì)介紹

TESCAN S9000X 氙等離子源雙束FIB系統(tǒng)

它不但提供了納米尺寸結(jié)構(gòu)分析所必需的高分辨率和表面靈敏度,為大體積 3D 樣品特性分析保證條件。同時(shí),它還提供非凡的 FIB 功能,可實(shí)現(xiàn)精確、無損的超大面積加工,包括封裝技術(shù)和光電器件的橫截面加工。 

TESCAN S9000X 氙等離子源雙束FIB系統(tǒng)主要優(yōu)勢:

1. 新的 Essence 軟件的用戶界面可實(shí)現(xiàn)更輕松、更快速、更流暢的操作,包括碰撞模型和可定制的面向應(yīng)用流程的布局;

2. 新一代 Triglav™ UHR SEM 鏡筒具有的分辨率,優(yōu)化的鏡筒內(nèi)探測器系統(tǒng)在低束流能量下具有的性能;

3. 軸向探測器通過能量過濾器,可以接收不同能量的電子信號(hào),增強(qiáng)表面敏感性;

4. 新型 iFIB+™ Xe 等離子 FIB 鏡筒具有的視野,可實(shí)現(xiàn)*面積的截面加工;

5. 新一代 SEM 鏡筒內(nèi)探測器結(jié)合高濺射率 FIB,實(shí)現(xiàn)超快三維微分析;

6. 氣體增強(qiáng)腐蝕和加工工藝,尤為適合封裝和 IC 去層應(yīng)用;

7. 高精度壓電驅(qū)動(dòng)光闌,可實(shí)現(xiàn) FIB 預(yù)設(shè)值之間的快速切換;

8. 新一代 FIB 鏡筒具有 30 個(gè)光闌,可延長使用壽命,并大限度地減少維護(hù)成本;

9. 半自動(dòng)離子束斑優(yōu)化向?qū)В奢p松選擇 FIB 銑削條件;

10. 的面向工作流程的 SW 模塊、向?qū)Ш凸に嚕蓪?shí)現(xiàn)大的吞吐量和易用性。

突出特點(diǎn)

* *的吞吐量,適用于挑戰(zhàn)性的大體積銑削任務(wù)

新型 iFIB+™ Xe 等離子 FIB 鏡筒可提供高達(dá) 2 μA 的超高離子束束流,并保持束斑質(zhì)量,從而縮短銑削任務(wù)的總時(shí)間。  

* 新型 iFIB+™ Xe 等離子 FIB 鏡筒具有的視野,可實(shí)現(xiàn)*面積的截面加工

新型 iFIB 鏡筒具有等離子 FIB-SEM 市場中大的視場(FoV)。 在30 keV 下大視場范圍超過 1 mm,結(jié)合高離子束流帶來的超高濺射速率,可在幾個(gè)小時(shí)之內(nèi)完成截面寬度達(dá) 1 mm 的電子封裝技術(shù)和其他大體積(如 MEMS 和顯示器)樣品加工。這是簡化復(fù)雜物理失效分析工作流程的解決方案。

* 應(yīng)用范圍廣闊,可擴(kuò)展您在 FIB 分析和微加工應(yīng)用范圍

新型 iFIB+™ Xe 等離子 FIB 離子束流強(qiáng)度可調(diào)范圍大,可在一臺(tái)機(jī)器中實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用:大電流可實(shí)現(xiàn)快速銑削速率,適用于大體積樣品去層;中等電流適用于大體積 FIB 斷層掃描;低束流用于 TEM 薄片拋光;超低束流用于無損拋光和納米加工。

* 充分利用電子和離子束功能,實(shí)現(xiàn)應(yīng)用大化

快速、高效、高性能的氣體注入系統(tǒng)(GIS)對(duì)于所有 FIB 應(yīng)用都是*的。新的 OptiGIS™ 具有所有這些品質(zhì),S9000X 可以配備多達(dá) 6 個(gè) OptiGIS 單元,或者可選配一個(gè)在線多噴嘴 5-GIS 系統(tǒng)。此外,不同的專有氣體化學(xué)品和經(jīng)過驗(yàn)證的配方可用于封裝技術(shù)的物理失效分析。

* 輕松實(shí)現(xiàn) FIB 精確調(diào)節(jié),并保證 FIB 性能

新型 iFIB+ 鏡筒配有超穩(wěn)定的高壓電源和精確的壓電驅(qū)動(dòng)光闌,可在 FIB 預(yù)設(shè)值之間快速切換。此外,半自動(dòng)束斑優(yōu)化向?qū)г试S用戶輕松選擇束斑,以優(yōu)化特定應(yīng)用的 FIB 銑削條件。

* 小的表面損傷和無Ga離子注入樣品制備,以保持樣品的特性

與 Ga 離子相比,Xe 離子的離子注入范圍和相互作用體積明顯更小,因此帶來的非晶化損傷也更小,這在制備 TEM 樣品薄片時(shí)尤其重要。此外,Xe 離子的惰性特性可防止研磨樣品的原子形成金屬化合物,這可能導(dǎo)致樣品物理性質(zhì)的變化,從而干擾電測量或其它分析。

* 強(qiáng)大的檢測系統(tǒng)

由 TriSE™ 和 TriBE™ 組成的多探測器系統(tǒng),可收集不同角度的 SE 和 BSE 信號(hào),以獲得樣品的大信息。 

* 改進(jìn)和擴(kuò)展成像功能,獲得有意義的襯度

新一代 Triglav™ 鏡筒內(nèi)探測器系統(tǒng)經(jīng)過優(yōu)化,信號(hào)檢測效率提高了三倍。此外,增加的能量過濾功能,可以對(duì)軸向 BSE 信號(hào)過濾采集。通過選擇性地收集低能量軸向 BSE,實(shí)現(xiàn)用不同的襯度來增強(qiáng)表面靈敏度。

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