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KRi 射頻離子源 RFICP 220伯東代理

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更新時(shí)間：2021-12-28 14:24:48瀏覽次數(shù)：168次

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產(chǎn)地	進(jìn)口	產(chǎn)品新舊	全新

標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 800 mA.

詳細(xì)介紹

KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 佳的離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 800 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP 220
Discharge 陽(yáng)極	RF 射頻
離子束流	>800 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

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上海伯東: 羅先生中國(guó)臺(tái)灣伯東: 王小姐

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