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KRi 射頻離子源 RFICP 100伯東代理

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更新時(shí)間：2021-12-28 14:50:51瀏覽次數(shù)：211次

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伯東企業(yè)（上海）有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地	進(jìn)口	產(chǎn)品新舊	全新

在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達(dá)到 400 mA.

詳細(xì)介紹

KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10"CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達(dá)到 400 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	RFICP 100
Discharge 陽極	RF 射頻
離子束流	>350 mA, 可以達(dá)到 400 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V
柵極直徑	10 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	23.5 cm
直徑	19.1 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng). 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東: 葉小姐中國臺(tái)灣伯東: 王小姐