射頻離子源 RFICP 140 伯東代理

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更新時間：2021-12-28 15:08:55瀏覽次數(shù)：445次

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產(chǎn)品簡介

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上海伯東代理美國進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕.

詳細介紹

KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn) 的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 佳的離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出大 600 mA 離子流

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):

型號	RFICP 140
Discharge 陽極	RF 射頻
離子束流	大 600 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	14 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	24.6 cm
直徑	24.6 cm
中和器	LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領(lǐng)域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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