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自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D 膏劑機(jī)械

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  • 型號(hào) CM1624D
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  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 所在地 北京市

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更新時(shí)間:2024-02-12 09:13:34瀏覽次數(shù):1469

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D

1·涂布均勻,厚度平整
2· 涂布速度可以隨意調(diào)整
3· 操作方便,效率高
自動(dòng)涂布機(jī)
型號(hào)CM10D CM1624D
Z大網(wǎng)版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm

詳細(xì)介紹

自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D

1·涂布均勻,厚度平整 
2·   涂布速度可以隨意調(diào)整 
3· 操作方便,效率高 
 自動(dòng)涂布機(jī) 
型號(hào)CM10D   CM1624D 

自動(dòng)涂布機(jī).CM1624D
zui大網(wǎng)版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm 
涂布速度0-8m/min 
電源220v/380v 
功率1kw 
重量400kg/500kg

產(chǎn)品名稱:鏡面式露點(diǎn)變送器
產(chǎn)品型號(hào):OPT

鏡面式露點(diǎn)變送器 型號(hào):OPT

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 
嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓I(yè)過(guò)程需要精確的和可靠的測(cè)量與控制. 多年以來(lái),密析爾的冷鏡式露點(diǎn)測(cè)量技術(shù)以其*的精度,可靠性與操作簡(jiǎn)便而聞名,無(wú)論是在實(shí)驗(yàn)室或是其他工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合.現(xiàn)在,Optidew將所有的這些優(yōu)勢(shì)集中到一個(gè)能適用于任何嚴(yán)格的露點(diǎn)或相對(duì)濕度測(cè)量的工業(yè)變送器中. 
泛用的軟件使用戶能輕松設(shè)定儀器的參數(shù)如度量單位 (RH, 露點(diǎn), 溫度, g/kg 及 g/m3), 輸出范圍, ℃ 或 ℉ 選擇等. 該軟件還能提供數(shù)據(jù)資料記錄和現(xiàn)場(chǎng)制圖,就象zui小值/zui大值/平均值 計(jì)算一樣便利.  
Optidew 擁有單級(jí)或兩級(jí)冷卻,并且有一體式, 遠(yuǎn)傳式或探針型傳感器供選擇. 兩種顯示選項(xiàng)提供 簡(jiǎn)單的 3.5 數(shù)字 LED 顯示器或者是更復(fù)雜的背發(fā)光 LCD 顯示器以供選擇.  
Optidew 的顯示系統(tǒng)使用高清晰的數(shù)字輸出用于顯示以測(cè)量的濕度讀數(shù) 



產(chǎn)品特點(diǎn) 
1.無(wú)漂移的露點(diǎn)測(cè)量原理 
2.高性能的數(shù)字控制回路技術(shù) 
3.結(jié)構(gòu)牢固,IP66級(jí)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼 
4.工業(yè)過(guò)程露點(diǎn)、%RH和溫度精密測(cè)量 
5.高溫傳感器可選,zui高130℃ 

 

 

測(cè)量范圍zui低露點(diǎn)-29℃(無(wú)輔助散熱,環(huán)境溫度21℃)
精  度±0.2露點(diǎn) ±0.1℃溫度
反應(yīng)速度1℃每秒
測(cè)量單位℃℉露點(diǎn);℃℉溫度:%rh gm-3,gkg-1
工作壓力高至25MPa
工作溫度-40… +90℃(探頭部分)-20…+40℃(整機(jī))
變送器主體316不銹鋼
傳感器鏡面鍍金銅
電纜長(zhǎng)度250米 zui長(zhǎng)
流量等級(jí)建議位0.1…2NL/Min
工作電源85…264V,47/440Hz
輸出信號(hào)4…20 mA,RS232,報(bào)警
用戶校驗(yàn)出廠前已經(jīng)校準(zhǔn)
溯源性NPL(英國(guó))和NIST(美國(guó))
質(zhì)量保證期

12個(gè)月

 

 

 

 

 

產(chǎn)品名稱:實(shí)驗(yàn)室氨氮快速比色測(cè)定儀 實(shí)驗(yàn)室氨氮測(cè)定儀
產(chǎn)品型號(hào): 100NH 

實(shí)驗(yàn)室氨氮快速比色測(cè)定儀 實(shí)驗(yàn)室氨氮測(cè)定儀 型號(hào): 100NH

儀器依測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的不同,有A、B類型。其中A型采用納氏試劑比色法GB7479-87;B型采用國(guó)標(biāo)GB7418—81及ISO7150/1—1984所規(guī)范的水楊酸光度法為基本測(cè)試手段,輔以樣品比色反應(yīng)預(yù)處理,實(shí)現(xiàn)樣品的快速、準(zhǔn)確的比色測(cè)定,具有穩(wěn)定、靈敏、可靠以及不含汞等優(yōu)點(diǎn)。 
特點(diǎn):  
  1.儀器采用標(biāo)準(zhǔn):水楊酸比色法完成水質(zhì)氨氮測(cè)量,采用標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)范的二氯異三氰酸鈉,取代常用次氯酸鈉,使試劑溶液含氯穩(wěn)定性和有效性大大增強(qiáng)(B型)。 
   2.儀器可進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)比色曲線的制作、貯存,并或根據(jù)不同水體對(duì)象進(jìn)行水質(zhì)氨氮比色曲線調(diào)整。 
       3.采用*光路比色系統(tǒng),是儀器的可靠、穩(wěn)定性有較大的提高。 
       4.*的樣品處理方式,在分析結(jié)果準(zhǔn)確的前提下,縮短分析時(shí)間(B型)。 
技術(shù)指標(biāo)和性能參數(shù)  
       1.測(cè)量范圍:氨氮濃度0.01mg/L~20mg/L 直接測(cè)量;大于20mg/L的水質(zhì)稀釋測(cè)量; 
       2.儀器準(zhǔn)確度:氨氮濃度為0.01mg/L~0.1mg/L,對(duì)誤差≤±0.01mg/L;氨氮濃度為>0.1mg/L~1.0mg/L,相對(duì)誤差≤±10% 
       3.儀器重復(fù)性誤差:氨氮濃度為0.01mg/L~0.1mg/L,標(biāo)準(zhǔn)偏差S≤0.01mg/L;氨氮濃度為>0.1mg/L~1.0mg/L,相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差Cv≤8% 
       4.分析時(shí)間:不大于30min; 
       5.數(shù)據(jù)輸入:薄膜開(kāi)關(guān)鍵盤(pán); 
       6.數(shù)據(jù)輸出:LCD顯示,打印機(jī)打印 

 

 

 

產(chǎn)品名稱:半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào):CS2935

半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀型號(hào):CS2935
 
一、產(chǎn)品特點(diǎn): 
測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試全、速度快、有良好的重復(fù)性和*性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件的能力。測(cè)試儀由計(jì)算機(jī)操控,測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)打印。除具有點(diǎn)測(cè)試功能外,還具有曲線掃描功能(圖示儀功能)。系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡(jiǎn)單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均可達(dá)到器件手冊(cè)技術(shù)指標(biāo)及國(guó)標(biāo)要求。 
二、測(cè)試參數(shù) 
1. 二管       
VF、IR、BVR 
2.  穩(wěn)壓(齊納)二管    
VF、IR、BV Z 
3.  晶體管       Transistor(NPN型/PNP型) 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4.   可控硅整流器(晶閘管)    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5.  場(chǎng)效應(yīng)管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6.  光電耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7.三端穩(wěn)壓器 
VO、SV、ID、IDV

三、測(cè)試參數(shù)范圍

晶體管

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1-99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0.       10V-50V

50V-1499V

 

二管

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

 

50V-1499V

 

穩(wěn)壓二管

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

 

三端穩(wěn)壓器

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

 

光耦

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

與IR參數(shù)相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

 

可控硅

 

 

測(cè)試參數(shù)

測(cè)試范圍

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

 

四、技術(shù)指標(biāo)

1、源的指標(biāo)

主壓流源 (VA)

      電壓:

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

 

電流:

 

 

測(cè)量范圍

精確度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

 

壓流源 (VB)

      電壓:

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

 

電流:

 

 

測(cè)量范圍

精確度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脈沖)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脈沖)

±(244mA+0.5%set)

 

高壓源(HV)

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

0~1500

±(1.22V+1%set)

 

*1500V時(shí) 大輸出為5mA。

2、電壓表的指標(biāo)

測(cè)漏電流

 

 

測(cè)量范圍

精確度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

 

測(cè)試電壓

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

 

測(cè)擊穿電壓

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

(0~50)V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

(50~1500)V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍數(shù)

 

 

設(shè)定范圍(V)

精確度

1~9999

1%

 

 

 

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