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雪崩能量測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2019-11-27 19:04:40瀏覽次數(shù)：1027

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雪崩能量測(cè)試儀系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá)2000J。

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電子電路系統(tǒng)來(lái)講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。

雪崩能量測(cè)試儀測(cè)試的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)將測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進(jìn)行終的編輯和打印。

 

HUSTEC2020 雪崩能量測(cè)試儀

功能指標(biāo)：

配置

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V 

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V～4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場(chǎng)效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 

Ic

1mA～200A

1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA 
2A～200A±3%±50mA
 

DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J～2000J

1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J 
500J～2000J±3%±10J
   

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測(cè)

50mV/A（取決于傳感器）
     

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 
     

重復(fù)間隙時(shí)間 

1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次
或

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