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檢修用IGBT測試儀

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更新時間:2019-11-27 19:04:41瀏覽次數(shù):737

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產品簡介

檢修用IGBT測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I特性測試

詳細介紹

檢修用IGBT測試儀可用于IGBT模塊封裝測試,電動車IGBT模塊檢測,電動車電控部分IGBT測試;

還可以針對不同封裝提供IGBT模塊測試夾具;

 

序號

測試項目

描述

測量范圍

分辨率

1

VF

二極管正向導通壓降

0-40V

1mV

2

IF

二極管正向導通電流

0-1600A

200A時,0.1A

3

>200A時,1A

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0-5000V

1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0-1600A

200A時,0.1A

6

>200A時,1A

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0-50mA

1nA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0-40V

1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0-40V

1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0-10uA

1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0-40V

1mV

IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家

外形尺寸和電源要求

主機尺寸(mm):     457 (18″) × 533 (21″) × 292 (11.5″)

重量(kg):         26 (57lbs)

電    源:         240VAC(-15)

50/60HZ    Fused 2A/1A

     華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修可用IGBT測試儀測試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF二極管壓降、等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1重復測試精度, 大電流指標保證2以內重復測試精度。

檢修用IGBT測試儀用途可以用在電動汽車電控的測試,

1、 測試關斷時CE之間耐壓和漏電流,測試電壓條件為VGE=0V,VCE=700V。

2、 測試反向二極管導通時EC之間壓降,測試條件為VGE=0V,IEC=250A

3、 測試導通時CE之間壓降,測試條件為VGE=15V,ICE=500A

    華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修可用IGBT測試儀,可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊,都具有獨立的供電系統(tǒng),以便在測試時,提供內部電路及電池組充電之用; 可選購外部高壓模塊,執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如:各項崩潰電壓與漏電流測量達5KV。

 

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