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詳細(xì)介紹
HUSTEC-1600A-MT
大功率IGBT測(cè)試設(shè)備
Power Device Static Parameter Tester
大功率IGBT測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品簡(jiǎn)介 Introducion
HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級(jí)到3KA/10KV.
VGE可達(dá)±100V；開(kāi)啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法；
采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級(jí)和維護(hù)；
設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試，
自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍，又可保證小功率器件測(cè)試精度
支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能；同一規(guī)格型號(hào)，不同批次的產(chǎn)品曲線對(duì)比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對(duì)比
開(kāi)放通訊接口，可以連接探針臺(tái)做wafer / chip 測(cè)試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測(cè)試,
測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告
技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications
技術(shù)指標(biāo) | |||
★ | 3.4 | VGE(th)柵極閾值電壓 | VGE：0.1～10V±1%±0.01V； |
3.5 | VGE(th) 測(cè)試條件與精度 | 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA； | |
★ | 3.6 | VCES集射極截止電壓 | VCES：0-5000V±1%±2V； |
3.7 | VCES 測(cè)試條件與精度 | 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； | |
★ | 3.8 | ICES集射極截止電流 | 集電極電流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； |
3.9 | ICES 測(cè)試條件與精度 | 集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V； | |
★ | 3.10 | VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 | 集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V |
3.11 | VCE(sat) 測(cè)試條件與精度
| 柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A； | |
★ | 3.12 | Iges柵極漏電流 | 柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA |
3.13 | Iges測(cè)試條件與精度 | 柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V； | |
★ | 3.14 | VF正向特性測(cè)試 | 二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V |
3.15 | VF正向特性測(cè)試 測(cè)試條件與精度 | 電流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；
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