福州市電子式多倍頻發(fā)生器生產(chǎn)工廠

一、主要特點

      1.HDSF-S電子式多倍頻發(fā)生器純正弦波輸出；

      2.實時監(jiān)測高壓側(cè)電壓、電流、低壓測電壓、電流，功率部分實際溫度等；

      3. 硬件保護(hù)、源輸出過流保護(hù)、溫度保護(hù)、過壓保護(hù)、高壓電壓劇增、高壓電壓劇減、高壓電流劇增、高壓電流劇減等多重保護(hù)；

      4.HDSF-S電子式多倍頻發(fā)生器很快一個波形周期內(nèi)產(chǎn)生保護(hù)、切斷輸出；

      5.實時記錄高壓側(cè)電壓，方便分析高壓異動情況，特別是故障時的實時電壓；

      6.觸摸大屏顯示加旋鈕編碼器，操作方便、靈活。

二、配置說明參照表

      1.儀器液晶顯示屏：7寸彩屏。

      2.輸出頻率： 30～300Hz，頻率調(diào)節(jié)細(xì)度0.1 Hz

三：技術(shù)參數(shù)

更多詳情請訪問武漢華頂電力設(shè)備有限公司

備的選取及常規(guī)試驗方法：因為精度和靈敏度的原因，測變壓器和一般套管的介損時（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測試儀，而當(dāng)測試電容式PT電容量和tgδ時，可采用HD6000異頻介損測試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測量一級接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說明的是現(xiàn)場試驗時要創(chuàng)造條件，力求測試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

對于CVT中壓電容的tgδ測試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗。

交接規(guī)程的一般要求及條款：電力變壓器：當(dāng)電壓等級為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時，應(yīng)測試tgδ，其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗值的130%，對于300MW或600MW機組的廠高變，一般未達(dá)到上述要求，交接試驗可不作；但一般廠家出廠試驗均有該項目的數(shù)據(jù)，為充分體現(xiàn)對用戶負(fù)責(zé)的思想，建議測試以便比較，但不出試驗報告。互感器：規(guī)定了20℃下電流互感器（油紙電容式）的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi)，只針對主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時≤3.5%，35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管：現(xiàn)場一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內(nèi)。說明一點，不管電容式CT還是電容式套管，都會有末屏，應(yīng)在測主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測絕緣，用2500V搖表，應(yīng)大于1000MΩ，有的出廠試驗也有末屏tgδ值，因此絕緣達(dá)不到要求時，應(yīng)測tgδ以便比較，但是試驗電壓應(yīng)控制在2KV。

另外，tgδ值都規(guī)定了相應(yīng)的溫度值，是因為溫度對tgδ值的影響較大，一般隨著溫度上升，tgδ值也增大，因此規(guī)定了溫度換算，一般應(yīng)校正到20℃時進(jìn)行與廠家試驗數(shù)據(jù)的比較，換算公式為：

1. 1. 環(huán)境溫度福州市電子式多倍頻發(fā)生器生產(chǎn)工廠福州市電子式多倍頻發(fā)生器生產(chǎn)工廠高于20℃時，tgδ₂₀ = tgδ_t / A
   2. 環(huán)境溫度低于20℃時，tgδ₂₀ = tgδ_t * A