福州市回路電阻測(cè)試儀生產(chǎn)工廠

一.產(chǎn)品介紹：
        HDH-100A回路電阻測(cè)試儀采用的大功率開關(guān)電源技術(shù)和電子線路精制而成。是高壓開關(guān)、電纜電線交直流接觸器及焊縫接觸電阻的測(cè)試儀器。其電流采用國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB736所*的100A/200A直流，可在100A/200A直流電流的情況下測(cè)得被試品的電阻值。本儀器具有體積小、重量輕、抗*力強(qiáng)、精度高、操作方便、保護(hù)功能完善等特點(diǎn)。
      可定制到900A回路電阻測(cè)試儀
      執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):DL/T845.4-2004
二.技術(shù)參數(shù)
      1.輸入電壓： AC220 V±20%，50HZ
      2.輸出電流： DC 0~100A/200A連續(xù)可調(diào)
      3.測(cè)試電流： DC100A/DC200A
      4.精    度： 1.0級(jí)
      5.分 辨 率： 0.1μΩ
      6.測(cè)量范圍： 0~1999μΩ
      7.顯示方式： 三位半表頭顯示電阻值，三位半表頭顯示電流值
      8.具有過流、過壓、過熱保護(hù)功能
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如何測(cè)電力設(shè)備的介質(zhì)損耗因數(shù)其原理在前面已經(jīng)講過，tgδ是IR / IC的比值，它能反映電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小，只與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)，而與其體積大小尺寸均沒有關(guān)系。因此，tgδ的測(cè)試目的，也是能夠有效地發(fā)現(xiàn)設(shè)備絕緣的普遍老化、受潮、臟污等整體缺陷。對(duì)小電容設(shè)備，如套管、互感器（電容式）也能夠發(fā)現(xiàn)內(nèi)部是否存在氣隙及固定絕緣開裂等集中性的局部絕緣缺陷。

但要說(shuō)明一點(diǎn)的是，針對(duì)大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測(cè)量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn)；而對(duì)于套管、互感器等小電容量的設(shè)備，測(cè)tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測(cè)試引出線套管的tgδ，也要測(cè)套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來(lái)。

一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。如局部有缺陷絕緣用C ₁ tgδ₁表示，其他良好絕緣用C ₂tgδ₂表示，兩部分并聯(lián)，則有P₁ = C ₁ tgδ₁   P₂ = C ₂ tgδ₂

而總的損耗為P = U² ωC tgδ  ①

U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂  又C = C₁  + C₂

則  C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂ = C tgδ

tgδ= （C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂）/（C₁  + C₂）   ②

若套管電容C ₁= 250PF，tgδ₁= 5%           （超差）

而變壓器電容C ₂= 10000PF，tgδ₂= 0.4%      （良好）

從②式可以看出總tgδ= 0.5 %         福州市回路電阻測(cè)試儀生產(chǎn)工廠福州市回路電阻測(cè)試儀生產(chǎn)工廠       （合格），可見明顯形成了誤判斷。

設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，測(cè)變壓器和一般套管的介損時(shí)（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測(cè)試儀，而當(dāng)測(cè)試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用HD6000異頻介損測(cè)試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測(cè)試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅