制藥網(wǎng)
詳細(xì)介紹
丹麥NILT公司是的納米壓印模板 掩膜供應(yīng)商，其提供納米壓印機(jī)和納米加工模板在內(nèi)的一系列納米壓印相關(guān)產(chǎn)品，包括各類材質(zhì)，各類功能的壓印模板，掩膜。
NILT通過熱模壓、滾印、注射模塑和紫外壓印等不同的工藝，能生產(chǎn)制造出各類不同功能的納米壓印模板。其中標(biāo)準(zhǔn)的壓印掩膜（模板）根據(jù)功能的不同，分為抗反射掩膜，增光掩膜，衍射光柵模板，金屬線柵偏光鏡標(biāo)準(zhǔn)模板，微針體標(biāo)準(zhǔn)母膜，大面積柱形標(biāo)準(zhǔn)母膜，微圖形標(biāo)準(zhǔn)模板 (MICRO)，亞微米標(biāo)準(zhǔn)模板。
NIL抗反射掩膜 (ANTI-REFLECTION)，納米壓印模板 掩膜
抗反射膜模板的特點(diǎn)是以大面積為主；適用于可見光范圍和近紅外范圍，反射率可減低到 0.2%
規(guī)格 | Type B | Type A | Type C | Type NIR |
模板型號 | ARSS_B_06 | ARSS_A_02 | ARSS_C_02 | ARSS_NIR_02 |
材質(zhì) | Nickel | Nickel | Nickel | Nickel |
光柵類型 | Hexagonal Array | Hexagonal Array | Hexagonal Array | Hexagonal Array |
Pitch | 300 nm | 250 nm | 250 nm | 500 nm |
Average height | 300 nm | 350 nm | 350 nm | Larger than 700 nm |
模板厚度 | 300 µm | 300 µm | 300 µm | 300 ?m |
模板尺寸 | 70 mm x 70 mm | 120 mm x 120 mm | 250 mm x 250 mm | 100 mm x 100 mm |
有效面積 | 50 mm x 50 mm | 100 mm x 100mm | 200 mm x 200 mm | 80 mm x 80 mm |
Expected %R PMMA | Less than 0.6% | Less than 0.2% | Less than 0.2% | Less than 0.2% |
Pattern polarity | Protrusions | Protrusion | Protrusions | Holes |
NIL Technology衍射光柵模板 (DIFFRACTION GRATINGS)
衍射光柵采用鎳材質(zhì)模板，表面紋路分為線狀或交叉狀兩種，平均深度為250nm，線距為500nm。適合用于：LED & OLED 光的外耦合OUT-COUPLING，將不同光導(dǎo)入波導(dǎo)WAVEGUIDE，光學(xué)分束，鐳射感應(yīng)器，薄膜行業(yè)和太陽能光伏等。
特點(diǎn)：
紋路形狀呈正弦曲線SINUSOIDAL ，紋路的參數(shù)也不同
80 x 80mm有效面積（模板面積為100 x 100mm）
規(guī)格：
規(guī)格 | Linear Grating | Crossed grating |
模板型號 | DG_L500 | DG_C500 |
材質(zhì) | Nickel | Nickel |
Profile shape | Sinusoidal | Sinusoidal |
Pitch | 500 nm | 500 nm |
Average depth | 250 nm | 250 nm |
模板厚度 | 300 µm | 300 µm |
模板尺寸 | 100 mm x 100 mm | 100 mm x 100 mm |
有效面積 | 80 mm x 80 mm | 80 mm x 80 mm |
NIL金屬線柵偏光鏡模板(WIRE GRID POLARIZER)
一般金屬線柵偏光鏡制造出來后需要經(jīng)過一定測試，而NILT通過納米壓印生產(chǎn)出金屬線柵偏光鏡的標(biāo)準(zhǔn)模板，可避免頻繁的測試，免去因測試所造成的成本。標(biāo)準(zhǔn)模板的線呈槽狀，槽寬、槽距均為50nm，模板的有效面積可達(dá)12 x 12mm, L/S 50nm，模板復(fù)制子模適用于UV或熱壓過程。
規(guī)格：
規(guī)格 | Type A | Type B |
模板型號 | WGPSS_A_V1 | WGPSS_B_V1 |
模板尺寸 | 2 inch round wafer with flat | 2 inch round wafer with flat |
材質(zhì) | Silicon | Silicon |
有效面積 | 12 mm x 12 mm | 6 mm x 6 mm |
模板厚度 | 500 µm +/- 25 µm | 500 µm +/- 25 µm |
結(jié)構(gòu)類型 | 50 nm wide grooves with 50 nm spacing | 50 nm wide grooves with 50 nm spacing |
橫向公差 | +/- 10 nm | +/- 10 nm |
結(jié)構(gòu)深度 | 100 nm | 100 nm |
垂直公差 | +/- 15 nm | +/- 15 nm |
缺陷密度 | Less than 0.01% of patterned area | Less than 0.01% of patterned area |
NIL微針體標(biāo)準(zhǔn)模板 (MICRO-NEEDLE STANDARD STAMP)
NILT提供的微針體標(biāo)準(zhǔn)模板的特點(diǎn)是特點(diǎn)：1. 微針呈正方形排列相隔500um； 2. 有效面積達(dá)70mm(斜角計)
微針體模板可經(jīng)熱壓或鑄造出所需微針形狀，可利用模板采用鎳片注塑而成。標(biāo)準(zhǔn)模板造出的微針體有足夠硬度可用于皮膚的不同測試，醫(yī)學(xué)方面可應(yīng)用的涂藥式微針或注射式微針。
規(guī)格：
規(guī)格 | Micro-needle - Type A |
模板型號 | MNSS_A_V1 |
材質(zhì) | Silicon |
微針布局 | Square array |
微針基本尺寸 | 100 µm x 100 µm |
微針高度 | 200 µm (base to tip) |
微針*高度 | 70 µm |
微針*曲率半徑 | ~1 µm |
微針間距 | 500 µm |
模板尺寸 | 100 mm diameter (SEMI standard wafer with a flat) |
模板厚度 | 525 µm (SEMI standard wafer with a flat) |
有效面積 | 70 mm diagonal square area in the center |
NIL精工增光掩膜 (LINEAR AND CIRCULAR ENGINEERED DIFFUSERS)
NILT的精工增光掩膜可精準(zhǔn)控制增光度，形狀可選擇直線、橢圓形和圓形，定制性強(qiáng)，面積可達(dá) 120x 120mm。它的功能在于控制照明元素LIGHTING ELEMENTS和光源LIGHT SOURCES的光量。例如鐳射、LED、LCD的背光源，而同時擁有很高的透光率。
規(guī)格 |
|
|
Circular version | Type B | Type D |
模板型號 | EDSS_B_C_V1 | EDSS_D_C_V1 |
結(jié)構(gòu)類型 | Engineered Diffuser | Engineered Diffuser |
輸出類型 | Circular diffusion | Ciruclar diffusion |
Diffusion angles (FWHM)* | 25° | 25° |
材質(zhì) | Nickel | Nickel |
模板厚度 | 300 µm | 300 µm |
模板尺寸 | 70 mm x 70 mm | 120 mm x 120 mm |
有效面積 | 50 mm x 50 mm | 100 mm - 100 mm |
NIL大面積柱形標(biāo)準(zhǔn)模板 (LARGE AREA PILLARS)
大面積柱形標(biāo)準(zhǔn)模板采用光子晶體結(jié)構(gòu)，是以方形排列光子晶體并分布在4個1平方米的格子的硅晶圓上。
可選4種不同規(guī)格的大面積柱形模板，結(jié)構(gòu)尺寸在125 – 275nm之間，
規(guī)格:
規(guī)格 |
|
模板型號 | LAPSS_V1 |
模板尺寸 | 2 inch round wafer |
材質(zhì) | Silicon |
厚度 | 525 µm +/- 25 µm |
結(jié)構(gòu)尺寸 | 125 nm, 175 nm, 225 nm, 275 nm (rounded squares) |
Structure pitch | 200 nm, 300 nm, 400 nm, 500 nm |
Protrusion height | 100 nm - 300 nm (you decide!) |
Tolerance, lateral and vertical dimensions | +/- 15% |
缺陷密度 | Less than 0.1% of total patterned area |
NIL亞微米標(biāo)準(zhǔn)模板 (SUB-MICRO)
亞微米標(biāo)準(zhǔn)模板的圖形有3種，包括線(500nm)、柱(1um)、孔(2um)，是專門為測試亞微米至納米級壓印而設(shè)計的，材料可選擇硅或石英，標(biāo)準(zhǔn)尺寸為 20 x 20mm。
規(guī)格：
模板型號 | MSS_V1 |
模板尺寸 | 20 mm x 20 mm |
材質(zhì) | Silicon |
厚度 | 1 mm |
結(jié)構(gòu)尺寸 | 1 µm - 50 µm |
Etch depth | 2 µm, 5 µm or 10 µm |
Pattern field size | 4 mm x 4 mm |
交期 | 3-4 weeks |
NIL微圖形標(biāo)準(zhǔn)模板 (MICRO)
微圖形標(biāo)準(zhǔn)模板有4種圖形,包括直線、橫線、柱狀和孔狀，其尺寸為1um, 5um, 10um, 50um呈現(xiàn)在20mm x 20mm硅晶圓片上。
規(guī)格：
模板型號 | SMSS_SIQZ_V1 |
模板尺寸 | 20 mm x 20 mm |
材質(zhì) | Silicon or Fused Silica |
厚度 | 1 mm |
結(jié)構(gòu)尺寸 | 500 nm - 2 µm |
Etch depth | 1 µm or 2 µm in Silicon. 500 nm in Fused Silica |
Pattern field size | 5 mm x 5 mm |
交期 | 3-4 weeks |
微透鏡陣列模板
NILT提供帶凹面或凸面微透鏡陣列的納米微加工模板，用于通過熱壓印或注塑成型生產(chǎn)聚合物微透鏡陣列。 材質(zhì)一般采用熔融石英或鎳制成。 NILT可以獨(dú)立的控制鏡頭深度、高度和寬度，因此可以在壓印模板上制作任何拋物面鏡片形狀。
壓印模板的直徑可達(dá)150mm，鏡頭尺寸從300nm-400μm，還可以提供具有凸透鏡和凹透鏡陣列的聚合物材質(zhì)復(fù)制品。
微透鏡陣列壓印模板 | |
壓印模板尺寸 | 可達(dá)150 mm |
壓印模板材質(zhì) | 熔融石英或鎳 |
微透鏡尺寸 | 300 nm - 400 µm |
SAG | 可達(dá) 50 µm |
Lens arrangements | Hexagonal closed packed |
Square and hexagonal, not closed packed | |
Lenticular | |
制藥網(wǎng)