半導體高低溫試驗箱主要模擬現(xiàn)實環(huán)境中的高低溫不同溫度氣候給工業(yè)產(chǎn)品做可靠性提前試驗。適合的產(chǎn)品有手機、電子、電器、零部件、食品、元器件、釹鐵硼、橡膠、磁性材料、車輛、金屬、塑膠、涂料、化學、建材等產(chǎn)品或材料。

半導體高低溫試驗箱主要技術(shù)指標：

1 、溫度波動度：±0.5℃
2 、溫度偏差：≤2℃
3 、升降溫速率：0.7～1℃/min
4 、溫度范圍：A:0℃、B:-20℃、C-40℃、D-70℃～+150℃

5 、試驗箱容積有80升:(寬40x高50x深40cm)；150升:(寬50x高60x深50cm)；225升:(寬50x高75x深60cm)；408升:(寬60x高85x深80cm)；800升:(寬100x高100x深80cm)；1000升:(寬100x高100x深100cm);寬高深相乘等于容積,以上是每個容積對應(yīng)的寬高深,都是標準常做的試驗箱規(guī)格,大家可以選擇其中一個尺寸然后配一個合適的溫度范圍,也可把非標的尺寸告訴我司技術(shù)員為大家量產(chǎn)品而定制。

6 、標準升溫時間 ： +20℃~+150℃小于45分鐘非線性空載。           

7 、標準降溫時間： +20~-20℃小于45分鐘/+20~-40℃小于60分鐘/ +20~-50℃小于65分鐘. +20~-60℃小于70分鐘/+20~-70℃小于75分鐘/+20~-85℃小于100分鐘非線性空載.

8 、滿足及執(zhí)行標準：GB2423.1—93《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》 試驗A：低溫試驗方法；GB2423.2—93《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》 試驗B：高溫試驗方法。