VeeMAXIII變角單次反射ATR

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 30°～80°連續(xù)可變?nèi)肷浣?/li>

• 0.4-46微米入射深度，適合深度剖析，如多層膜、鍍層分析

• 20mm大尺寸晶體，非常適合硅片或金屬基底表面的單層膜、超薄膜分析，相比于鏡面反射，靈敏度可提高1-2數(shù)量級

• 結(jié)合電化學(xué)池用于紅外光譜電化學(xué)研究

• *的光通量，以短的掃描時(shí)間提的光譜質(zhì)量，提高檢出限
• 可選ZnSe\Ge\Si\ZnS晶體
• 可作為變角鏡面反射附件使用
• 預(yù)留偏振片位置，可選配手動或自動偏振片
• 可選配自動版，軟件調(diào)節(jié)入射角

• 可加熱晶體盤溫度至130℃