產(chǎn)品展廳收藏該商鋪

您好 登錄 注冊(cè)

當(dāng)前位置:
邁可諾技術(shù)有限公司>>>>光譜橢偏儀

光譜橢偏儀

返回列表頁(yè)
  • 光譜橢偏儀

收藏
舉報(bào)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 所在地

在線(xiàn)詢(xún)價(jià) 收藏產(chǎn)品 加入對(duì)比

更新時(shí)間:2021-01-06 13:43:14瀏覽次數(shù):705

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是制藥網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

聯(lián)系方式:查看聯(lián)系方式

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢?jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。光譜橢偏儀特征:?基于Wi......

詳細(xì)介紹

光譜橢偏儀可配置從DUVNIR的波長(zhǎng)范圍。DUV范圍可用于測(cè)量超薄膜,如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物,其通常僅為約12nm厚。當(dāng)用戶(hù)需要測(cè)量許多材料的帶隙時(shí),深紫外光譜橢偏儀也是*的??梢?jiàn)或近紅外范圍用于測(cè)量相對(duì)厚或非常厚的涂層。當(dāng)然,如果必須確定光學(xué)常數(shù),則應(yīng)將工具的波長(zhǎng)范圍配置為該范圍。其他配置,如波長(zhǎng)分辨率,角度范圍等,將根據(jù)所需的應(yīng)用進(jìn)行考慮。



光譜橢偏儀特征:

?基于Window軟件,易于操作;

?的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)系統(tǒng)性能;

?高功率DUV-VIS-NIR光源,適用于寬帶應(yīng)用;

?基于陣列的探測(cè)器系統(tǒng),確??焖贉y(cè)量;

?用戶(hù)可以根據(jù)需要定義任意數(shù)量的圖層;

?能夠用于實(shí)時(shí)或在線(xiàn)厚度,折射率監(jiān)測(cè);

?系統(tǒng)配有全面的光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù);

?高級(jí)TFProbe 3.3.X軟件允許用戶(hù)對(duì)每個(gè)膠片使用NK表,色散或有效介質(zhì)近似(EMA);

?三種不同的用戶(hù)級(jí)別控制:工程師模式,系統(tǒng)服務(wù)模式和簡(jiǎn)易用戶(hù)模式;

?靈活的工程模式,適用于各種配方設(shè)置和光學(xué)模型測(cè)試;

?強(qiáng)大的一鍵式按鈕解決方案,用于快速和常規(guī)測(cè)量;

?可按照用戶(hù)偏好配置測(cè)量參數(shù),操作簡(jiǎn)便;

?系統(tǒng)全自動(dòng)校準(zhǔn)和初始化;

?直接從樣品信號(hào)獲得精確的樣品對(duì)齊接口,無(wú)需外部光學(xué)元件;

?精確的高度和傾斜程度調(diào)整;

?適用于許多不同類(lèi)型的不同厚度的基材;

?各種選項(xiàng),附件可用于特殊配置,如繪圖階段,波長(zhǎng)擴(kuò)展,焦點(diǎn)等;

?2D3D輸出圖形以及用戶(hù)數(shù)據(jù)管理界面;



光譜橢偏儀應(yīng)用:

?半導(dǎo)體制造(PR,氧化物,氮化物......

?液晶顯示器(ITO,PR,Cell gap ......

?法醫(yī)學(xué),生物學(xué)材料

?油墨,礦物學(xué),顏料,調(diào)色劑

?制藥,科研

?光學(xué)涂層,TiO2,SiO2,Ta2O5 ......

?半導(dǎo)體化合物

?MEMS / MOEMS中的功能薄膜

?無(wú)定形,納米和硅晶圓

?太陽(yáng)能電池薄膜,CdTe,CdS,CIGSAZO,CZTS ....



光譜橢偏儀技術(shù)參數(shù):


型號(hào)

SE200

(DUV-Vis)


SE300

(Vis)


SE450

(Vis-Nir)


SE500

(DUV-Vis-Nir)


探測(cè)器類(lèi)型

CCDCMOS陣列

CCDCMOS陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

CCDCMOSInGaAs陣列

波長(zhǎng)范圍(nm

1901100

3701100

370-1700

190-1700

波長(zhǎng)點(diǎn)

測(cè)量波長(zhǎng)范圍和波長(zhǎng)數(shù)據(jù)點(diǎn)均在用戶(hù)配方中自定義(數(shù)據(jù)點(diǎn)僅受分辨率限制)

波長(zhǎng)分辨率

0.01 -3nm

0.01 -3nm

0.013nm

0.013nm

數(shù)據(jù)采集時(shí)間

100毫秒到10秒,用戶(hù)自定義

入射角范圍

2090

入射角分辨率

帶手動(dòng)測(cè)角儀的5度預(yù)設(shè)步驟,用于SExxx-BM配置;

程序控制0.001度分辨率,配有自動(dòng)測(cè)角儀,適用于SExxx-BA配置

偏光光學(xué)

旋轉(zhuǎn)偏振器,分析器和/或補(bǔ)償器的組合

光束尺寸

準(zhǔn)直光束,光束尺寸可在15mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光圈; 可選的聚焦光束模式(可拆卸)可用于減小光斑尺寸

光源

D2 + TH/

TH

TH

D2 + TH/

燈泡壽命

4000小時(shí)

10000小時(shí)

10000小時(shí)

4000小時(shí)

可測(cè)量的厚度范圍

高達(dá)30μm

20nm50μm

20nm50μm

高達(dá)50μm

厚度精度

<1?0.1

索引精度

優(yōu)于0.0001

厚度準(zhǔn)確度

優(yōu)于0.25


收藏該商鋪

請(qǐng) 登錄 后再收藏

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~

對(duì)比框

產(chǎn)品對(duì)比 二維碼

掃一掃訪(fǎng)問(wèn)手機(jī)商鋪
在線(xiàn)留言