OTL-PECVD-1200-1400-1200三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

OTL-PECVD-1200-1400-1200三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)，由三臺(tái)滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、電動(dòng)拖動(dòng)機(jī)構(gòu)組成。

主要特點(diǎn)：

1、通過(guò)射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過(guò)射頻電源的頻率來(lái)控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小

4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wú)定型硅(a-Si:H) 等。

這款三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)是一款能夠快速加熱、冷卻的PECVD系統(tǒng)，是在三臺(tái)管式爐安裝一對(duì)電動(dòng)滑軌，可用電動(dòng)滑動(dòng)系統(tǒng)。加熱和冷卻速率*可達(dá)100°C/min。為取得加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動(dòng)爐子到樣品位置。為獲得冷卻，可在樣品加熱后移動(dòng)爐子到另一端。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達(dá)到10°C/s，是低成本快速加熱、冷卻的雙溫區(qū)PECVD系統(tǒng)。

這款三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲和硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用日本進(jìn)口氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端采用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時(shí)真空度能夠達(dá)到10-3 Pa， 分兩個(gè)溫區(qū)，兩個(gè)溫區(qū)可以獨(dú)立控制、設(shè)置不同的溫度，使用方便，操作簡(jiǎn)單，該爐子具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒 結(jié)、生長(zhǎng)石墨烯、生長(zhǎng)各種薄膜的理想產(chǎn)品。

（1）、硅碳棒的熱端粗度d為14mm、一般廠家采用的12MM、加熱端粗、不容易彎曲、棒子的表面負(fù)荷低，使用壽命長(zhǎng)。

（2）、m冷端長(zhǎng)度為210mm， 一般廠家采用180mm, 冷端長(zhǎng)爐頂溫度低。

（3）、硅碳棒表面氧化非晶膜致密，能夠比較好的保護(hù)碳棒。

當(dāng)電路過(guò)流或漏電時(shí)，空開會(huì)自動(dòng)斷開

該氣氛管式爐可配有通訊接口和軟件，可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái)，隨時(shí)可以調(diào)出

（1）、真空吸濾成型的高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛。
（2）、采用*成型。
（3）、爐膛材料熱容低、熱傳導(dǎo)系數(shù)低，從而散熱少、保溫好、反射率高。溫場(chǎng)均衡。
（4）、爐膛氧化鋁絲細(xì)而長(zhǎng)、耐溫高、抗熱漲冷縮能力強(qiáng)
（5）、爐膛表面光潔、不易掉粉。

（全部通過(guò)UL認(rèn)證的進(jìn)口電器）