VTF-PECVD-1200立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

產(chǎn)品描述：VTF-PECVD-1200立式單溫區(qū)PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時(shí)真空度能夠達(dá)到10-3 Pa，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、*等優(yōu)點(diǎn)。

VTF-PECVD-1200立式單溫PECVD系統(tǒng)，由VTL-VTF1200真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、GX供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。

主要特點(diǎn)：

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。

2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。

4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。

5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

VTF1200-PECVD系統(tǒng)以瑞典Kanthal電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，抽真空時(shí)真空度能夠達(dá)到10-3 Pa，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能、*等優(yōu)點(diǎn)。 

(3)、電阻均衡、溫場均衡性好

(4)、加熱元件：瑞典Kanthal  A1 進(jìn)口電阻絲 （電阻絲可承諾保修2年）

當(dāng)電路過流或漏電時(shí)，空開會(huì)自動(dòng)斷開

該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升  溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出真空度。

（2）、采用*成型。

（3）、爐膛里電阻絲的間距和節(jié)距全部按日本的熱工技術(shù)布置、經(jīng)過熱工軟件模擬溫場

（4）、采用4周加熱，溫場更加均衡

（全部通過UL認(rèn)證的進(jìn)口電器）