Batop可飽和吸收體

BATOP從事的專業(yè)領(lǐng)域包括：低溫分子束外延技術(shù)，介質(zhì)濺射鍍膜，晶圓加工和芯片安裝技術(shù)。在過去幾年里， BATOP 已成為一個用于被動鎖模激光器的可飽和吸收體的供應(yīng)商。

可飽和吸收產(chǎn)品集合了可飽和吸收鏡(SESAM™)，可飽和輸出鏡(SOC)和用于透過應(yīng)用的可飽和吸收體(SA)。

迄今為止，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到3µm的常用激光波長范圍。另一個產(chǎn)品系列是用于太赫茲發(fā)射和探測的太赫茲光電導天線(PCA)。

BATOP不僅提供單帶隙天線，還包括整合了微透鏡的高能大狹縫交叉天線陣列和整套的太赫茲光譜儀。太赫茲光電導天線的激發(fā)波長為800nm到1550nm之間。

主要產(chǎn)品：

• SAM半導體可飽和吸收鏡

• RSAM共振可飽和吸收鏡

• SOC可飽和吸收耦合輸出鏡

• SANOS可飽和噪聲去除腔

• SA可飽和吸收體

• PCA太赫茲光電導天線

SESAM，RSAM和SOC是用于穩(wěn)定的DPSS被動鎖模激光器的鎖模元件，封裝方式有裸片。粘附在散熱基底和光纖尾端等方式。

一、鎖模器件

 關(guān)鍵指標：

a. 中心波長（λ）：800-3000nm（根據(jù)需求選擇合適波長）

b. 吸收率（A0）：0.6%-70%（根據(jù)需求選擇合適吸收率）

c. 弛豫時間（τ）：500fs-124ps（根據(jù)需求選擇合適弛豫時間）

d. 封裝方式（X）：（根據(jù)需求選擇如下合適封裝方式）

 X=4.0-0，無封裝的裸片，單片，尺寸4mm x 4mm

 X=1.0b-0，無封裝的裸片，5片裝，單片尺寸1.0mm x 1.0mm

 X=1.3b-0，無封裝的裸片，5片裝，單片尺寸1.3mm x 1.3mm

 X=12.7g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑12.7mm的邊緣

 X=25.0g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑25.0mm的邊緣

 X=25.4g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑25.4mm的邊緣

 X=12.7s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑12.7mm的邊緣

 X=25.0s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的邊緣

 X=25.4s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.4mm的邊緣

 X=25.0w-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的水冷邊緣

 X=25.0h-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的水冷邊緣（高功率應(yīng)用）

 X=FC/PC-HI 980，安裝在1米長HI 980（光纖可選）光纖一端，接頭類型FC/PC

 X=FC/APC-HI 980，安裝在1米長HI 980（光纖可選）光纖一端，接頭類型FC/APC  

4.SANOS可飽和體噪聲去除腔

SANOS可飽和體噪聲去除腔的工作原理是：利用可飽和吸收體對弱的噪聲光有很小的反射率，對強的輸出光具有很大的反射率，這樣光通過SANOS可飽和體噪聲去除腔后，就能起到噪聲去除的作用。

可用于再生放大和脈沖選擇以后的噪聲光去除。

二、1064nm 微片

組成：半導體可飽和吸收鏡+Nd:YVO4激光晶體

指標參數(shù)：