詳細(xì)介紹
BX51-IR型近紅外顯微鏡
MX63L-IR型近紅外顯微鏡(12"晶圓檢查專(zhuān)用顯微鏡)
紅外物鏡
LMPLN5XIR | LMPLN10XIR | LCPLN20XIR | LCPLN50XIR | LCPLN100XIR注意 |
倍數(shù) | 數(shù)值孔徑 | 工作距離(mm) | 硅片厚度 | 分辨率(μm) |
5X | 0.1 | 23 | —— | 5.50 |
10X | 0.3 | 18 | —— | 1.83 |
20X | 0.45 | 8.3 | 0-1.2 | 1.22 |
50X | 0.65 | 4.5 | 0-1.2 | 0.85 |
100X | 0.85 | 1.2 | 0-1 | 0.65 |
注:分辨率在1100nm波長(zhǎng)下計(jì)算
新舊紅外物鏡性能對(duì)比
LMPL20XIR(舊型號(hào)) | LCPLN20XIR(新型號(hào)) | LMPL50XIR(舊型號(hào)) |
LCPLN50XIR(新型號(hào)) | LMPL100XIR(舊型號(hào)) | LCPLN100XIR(新型號(hào)) |
紅外顯微鏡的應(yīng)用
– Vcsel芯片隱裂(cracks)、InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè)
– 法拉第激光隔離器,Faraday Isolator近紅外無(wú)損檢測(cè)
– die chip 失效分析
– 紅外透射Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量
– 硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底無(wú)損紅外檢測(cè)
– 太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)
Vcsel芯片隱裂(cracks)
法拉第激光隔離器膠合偏振片無(wú)損檢驗(yàn)
die chip 失效分析
紅外Wafer正反面定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量
硅基半導(dǎo)體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無(wú)損紅外檢測(cè)
太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷紅外檢測(cè)