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分子束外延殘余氣體分析四極質(zhì)譜儀

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更新時(shí)間：2021-07-08 15:55:45瀏覽次數(shù)：383

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A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications. Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

詳細(xì)介紹

HALO 201 MBE 分子束外延殘余氣體分析四極質(zhì)譜儀用于泄漏探測(cè)、趨勢(shì)分析、真空診斷的過(guò)程監(jiān)測(cè)和殘余氣體的精確分析。

該分子束外延特定分析質(zhì)譜儀由兼容性材料組成，并能在分子束外延環(huán)境中長(zhǎng)期使用。

 

·鉬銅布線增加MBE環(huán)境下系統(tǒng)的壽命

·抗污染離子源護(hù)罩

·雙法拉第/ channelplate電子倍增器

 

·質(zhì)量數(shù)范圍：   1～300 amu

·掃描速度：      100amu/s

·最小掃描步階：0.01amu

·靈敏度：         0.1 ppm～1ppm

·穩(wěn)定性：         24h以上，峰高變化小于±0.5%

·最小檢測(cè)分壓：2 x 10-13 mbar

·工作壓力：1 x 10-4 mbar

Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

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