美國 MMR 霍爾效應測量系統(tǒng) H5000

美國 MMR 霍爾效應測量系統(tǒng) H5000

美國 MMR 公司，與斯坦福大學合作開發(fā)了的致冷器，其具有小的震動(埃米級別)、寬控溫范圍(70~730K)及高溫度穩(wěn)定性(0.1K)，并將其應用在以下測量系統(tǒng)，提高了系統(tǒng)的整體性能。 各個系統(tǒng)均采用模塊設計，客戶可根據(jù)實際要求配置系統(tǒng)，也方便日后升級。

霍爾效應測量系統(tǒng)主要用于研究光電材料的電學特性，利用范德堡測量技術測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。整套系統(tǒng)主要包括控制器、樣品室、磁場三部分。

主要參數(shù)：

1. 樣品固定方式：彈簧探針或引線治具

2. 溫度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室溫~730K（可選）

3. 磁場：5000Gauss 永磁鐵，5000Gauss 電磁場， 1.4T 電磁場（可選）

4. 溫度穩(wěn)定度：<=0.1K

5. 溫度響應：1K/sec

6. 致冷片：10X14 mm

7. 電阻率：10-4~1013 Ohm*cm

8. 載流子遷移率：1~107 cm2/volt*sec

9. 載流子濃度：103~1019cm-3

10. 電流范圍：1 pA~100mA

11. 電壓范圍：+/-2.4V，最小可測到 6X10-6 V

12. 電阻范圍：10 m Ohms~ 10G Ohms

參考客戶： Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院，深圳大學，華南理工大學，上海光機所，上海微系統(tǒng)所，四川大學，上海交通大學，常州大學，東北大學，廈門大學，新疆理化研究所，北京物理所等。