MDPmap光伏測(cè)量?jī)x

德國(guó)Sentech光伏測(cè)量?jī)xMDPmap，靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng)

離線工具M(jìn)DPmap是專(zhuān)為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。MDPmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。

MDPmap設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無(wú)觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。自動(dòng)的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許在從原始生長(zhǎng)晶片到高達(dá)95%金屬化晶片的各種工藝階段之后，容易地應(yīng)用于包括外延層的各種不同樣品。

MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是靈活性高。例如，它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量，或者通過(guò)使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。包括偏光設(shè)施，以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選擇?？梢允褂貌煌臏y(cè)量圖形進(jìn)行客戶定義的計(jì)算，以及導(dǎo)出用于進(jìn)一步評(píng)估的主要數(shù)據(jù)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量，預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)僅通過(guò)按一個(gè)按鈕即可實(shí)現(xiàn)常規(guī)測(cè)量。

優(yōu)勢(shì)

。在幾乎任何生產(chǎn)階段，電活性缺陷或材料性能的可視化實(shí)現(xiàn)了工藝優(yōu)化和設(shè)備的性能預(yù)測(cè)。
。極其通用的測(cè)量方法可實(shí)現(xiàn)特殊測(cè)量以及標(biāo)準(zhǔn)的可追溯性。
。小型緊湊的臺(tái)式工具，具有很高的測(cè)量靈敏度，便于快速常規(guī)測(cè)量。